GA1812A681GXAAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率、低損耗的應用場景設計。該芯片采用先進的制造工�,具備極低的導通電阻和快速的開關速度,非常適合用于開關電源、DC-DC轉換�、電機驅動以及其他功率轉換系�(tǒng)中�
其封裝形式和引腳布局�(jīng)過優(yōu)�,能夠有效降低寄生電感和熱阻,從而提高整體性能并延長使用壽��
型號:GA1812A681GXAAR31G
類型:N溝道增強型MOSFET
額定電壓�60V
額定電流�120A
導通電阻:1.5mΩ(典型值)
柵極電荷�45nC(最大值)
連續(xù)漏極電流�120A(@25°C�
功耗:144W(最大值)
工作溫度范圍�-55°C�+175°C
封裝形式:TO-247-3
1. 極低的導通電阻,有助于減少傳導損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速開關特�,支持高頻應�,適合現(xiàn)代高效能電源設計�
3. 高電流承載能力,能夠滿足大功率應用場景的需��
4. 寬泛的工作溫度范圍,確保在極端環(huán)境下的可靠��
5. �(wěn)定的電氣性能和高耐用性,適用于工�(yè)級及汽車級應��
6. 封裝結構緊湊且散熱性能�(yōu)�,便于集成到各種功率模塊��
1. 開關電源(SMPS)中的主開關管或同步整流管�
2. DC-DC轉換器中的功率開關元件�
3. 電機驅動電路中的功率輸出��
4. 電池保護電路中的負載開關�
5. 充電器及逆變器中的功率轉換組��
6. 工業(yè)控制設備中的功率調節(jié)模塊�
GA1812A681GXAAR31H, IRF540N, FDP177N10A, STP120N10F