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GA1812A681GXAAR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/13 15:52:08 查看 閱讀�19

GA1812A681GXAAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率、低損耗的應用場景設計。該芯片采用先進的制造工�,具備極低的導通電阻和快速的開關速度,非常適合用于開關電源、DC-DC轉換�、電機驅動以及其他功率轉換系�(tǒng)中�
  其封裝形式和引腳布局�(jīng)過優(yōu)�,能夠有效降低寄生電感和熱阻,從而提高整體性能并延長使用壽��

參數(shù)

型號:GA1812A681GXAAR31G
  類型:N溝道增強型MOSFET
  額定電壓�60V
  額定電流�120A
  導通電阻:1.5mΩ(典型值)
  柵極電荷�45nC(最大值)
  連續(xù)漏極電流�120A(@25°C�
  功耗:144W(最大值)
  工作溫度范圍�-55°C�+175°C
  封裝形式:TO-247-3

特�

1. 極低的導通電阻,有助于減少傳導損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 快速開關特�,支持高頻應�,適合現(xiàn)代高效能電源設計�
  3. 高電流承載能力,能夠滿足大功率應用場景的需��
  4. 寬泛的工作溫度范圍,確保在極端環(huán)境下的可靠��
  5. �(wěn)定的電氣性能和高耐用性,適用于工�(yè)級及汽車級應��
  6. 封裝結構緊湊且散熱性能�(yōu)�,便于集成到各種功率模塊��

應用

1. 開關電源(SMPS)中的主開關管或同步整流管�
  2. DC-DC轉換器中的功率開關元件�
  3. 電機驅動電路中的功率輸出��
  4. 電池保護電路中的負載開關�
  5. 充電器及逆變器中的功率轉換組��
  6. 工業(yè)控制設備中的功率調節(jié)模塊�

替代型號

GA1812A681GXAAR31H, IRF540N, FDP177N10A, STP120N10F

ga1812a681gxaar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • 產品狀�(tài)在售
  • 電容680 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1812�4532 公制�
  • 大小 / 尺寸0.177" � x 0.126" 寬(4.50mm x 3.20mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"�2.18mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-