型號(hào)：FV42X563K102EFG
　　類型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET
　　最大漏源電壓：60V
　　最大柵源電壓：±20V
　　連續(xù)漏極電流：80A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：1.2mΩ
　　柵極電荷：95nC
　　開關(guān)時(shí)間：開啟延遲時(shí)間：12ns，上升時(shí)間：7ns，關(guān)斷延遲時(shí)間：25ns，下降時(shí)間：8ns
　　工作溫度范圍：-55℃至+175℃

FV42X563K102EFG具有以下顯著特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻，有助于減少傳導(dǎo)損耗。
　　2. 快速的開關(guān)性能，適合高頻應(yīng)用場(chǎng)合。
　　3. 高雪崩能力，增強(qiáng)了器件在異常情況下的可靠性。
　　4. 小尺寸封裝設(shè)計(jì)，便于在高密度電路板上布局。
　　5. 優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定的工作狀態(tài)。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無鉛材料。

這款功率MOSFET廣泛應(yīng)用于各種電力電子領(lǐng)域，包括但不限于以下方面：
　　1. 開關(guān)電源（SMPS），用于提高轉(zhuǎn)換效率。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器，提供高效的電壓調(diào)節(jié)功能。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，支持大電流輸出。
　　4. 電池保護(hù)電路，確保安全充電與放電過程。
　　5. 汽車電子系統(tǒng)，如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向和制動(dòng)系統(tǒng)中的功率控制部分。

FV42X563K102EGH, IRF540N, SI4470DY