GA1812A562FBAAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應用于電源管理、電機驅動和工業(yè)控制等領�。該器件采用先進的溝槽� MOSFET 技術制造,具有低導通電阻和高開關速度的特�,能夠有效提升系�(tǒng)的效率和可靠��
該芯片主要設計用于高壓大電流應用�(huán)境,支持高頻開關操作,適用于多種電力電子設備中的功率轉換和調節(jié)功能�
型號:GA1812A562FBAAR31G
類型:N-Channel Power MOSFET
封裝:TO-247-3
漏源極電�(Vdss)�1200V
連續(xù)漏極電流(Id)�56A
導通電�(Rds(on))�3.0mΩ(典型值)@ Vgs=15V
柵極電荷(Qg)�135nC
開關頻率:最高支� 100kHz
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
GA1812A562FBAAR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),能夠在高電流條件下顯著降低功��
2. 高耐壓能力,額定漏源極電壓� 1200V,適合高壓應用場��
3. 快速開關性能,具有較低的柵極電荷和輸出電�,可實現(xiàn)高效高頻操作�
4. �(yōu)異的熱性能,允許在極端溫度�(huán)境下�(wěn)定運��
5. 強大的短路耐受能力,提高了系統(tǒng)在異常情況下的安全��
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠�
該芯片適用于以下應用領域�
1. 開關電源(SMPS�,如 AC-DC � DC-DC 轉換��
2. 工業(yè)電機驅動和變頻器�
3. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)�
4. 電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)中的牽引逆變器�
5. UPS 不間斷電源系�(tǒng)�
6. 高壓負載開關和保護電路�
7. 各種需要高效功率轉換和控制的工�(yè)及消費類電子�(chǎn)��
GA1812A562FBAAR31G, IRFP460, FQA50P12, IXTH100N120T2