TFS080N04N 是一� N 溝道增強型功� MOSFET,采用先進的半導體制造工藝,適用于高頻開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動等�(yīng)�。該器件具有低導通電阻和快速開�(guān)速度的特�,能夠有效降低系�(tǒng)功耗并提高效率�
該芯片的封裝形式通常� TO-263(DPAK�,具備良好的散熱性能,適合在高電流和高電壓條件下使用�
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�80A
導通電阻:4mΩ
柵極電荷�35nC
輸入電容�1300pF
最大工作結(jié)溫:175�
TFS080N04N 的主要特性包括以下幾點:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),有助于減少導通損��
2. 快速開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)用�
3. 高雪崩能量能力,增強器件的魯棒��
4. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
5. �(nèi)� ESD 保護,提高了器件的抗靜電能力�
6. �(yōu)化的熱性能�(shè)�,確保長期穩(wěn)定運行�
這款功率 MOSFET 廣泛�(yīng)用于多種�(lǐng)�,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流�
2. 工業(yè)�(shè)備中的電機驅(qū)動控��
3. 太陽能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模��
4. 汽車電子中的負載切換和電池管��
5. LED 照明�(qū)動電路�
TFS080N04N 的高效性能和可靠性使其成為眾多高功率密度�(shè)計的理想選擇�
TFS085N04L, IRFZ44N, FDP089N04L