GA1812A560FBHAR31G 是一款高性能的功� MOSFET,適用于高效�、高頻率開關電源和電機驅動等應用場景。該器件采用了先進的半導體制造工�,具有較低的導通電阻和較高的開關速度,可顯著提升系統(tǒng)的整體性能�
該芯片封裝為 TO-247-3,適合大功率散熱需�,同時支持多種保護功能以確保在復雜工況下的穩(wěn)定運��
類型:功� MOSFET
導通電阻(Rds(on)):56mΩ
漏源電壓(Vds):120V
柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):94A
脈沖漏極電流(Id, peak):320A
功耗:200W
封裝:TO-247-3
GA1812A560FBHAR31G 具有以下主要特性:
1. 極低的導通電�,能夠有效降低導通損耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 支持高頻率操�,適用于高頻開關電源設計�
3. 內置熱保護和過流保護功能,提高了器件在異常情況下的可靠��
4. 高雪崩能量耐受能力,確保在負載突變時的�(wěn)定��
5. 采用堅固耐用� TO-247-3 封裝形式,散熱性能�(yōu)異�
6. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)保設計�
這款功率 MOSFET 特別適合需要高效能轉換的應用場�,例如工�(yè)� DC-DC 轉換器、太陽能逆變器以及電動汽車牽引逆變器等�
GA1812A560FBHAR31G 廣泛應用于以下領域:
1. 開關模式電源(SMPS�,包� AC-DC � DC-DC 轉換��
2. 電機驅動電路,如無刷直流電機控制�
3. 太陽能逆變器及儲能系統(tǒng)�
4. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模塊�
5. 電動汽車和混合動力汽車的電驅系統(tǒng)�
6. 高效 LED 照明驅動電路�
其卓越的性能使其成為許多高要求應用的理想選擇�
GA1812A560FBHAR30G, IRFP260N, FDP18N12E