NGTB50N60SWG 是一款由 Nexperia(前身為 NXP 的標(biāo)�(zhǔn)�(chǎn)品業(yè)�(wù)部)生產(chǎn)的高� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用 DPAK 封裝,適用于高電壓和高效率應(yīng)用場(chǎng)�。其主要特點(diǎn)包括低導(dǎo)通電�、快速開(kāi)�(guān)速度和高雪崩能力,非常適合于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及工業(yè)控制等領(lǐng)域�
這款 MOSFET 的額定電壓為 600V,能夠承受較高的反向電壓,同�(shí)具備較低的導(dǎo)通電阻以減少功率損�。此�,它還具有出色的熱性能和可靠�,確保在各種惡劣�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
類型:N溝道 MOSFET
封裝:DPAK (TO-252)
額定電壓�600V
額定電流�50A
�(dǎo)通電阻:1.3Ω
柵極電荷�47nC
最大工作結(jié)溫:175�
存儲(chǔ)溫度范圍�-55� � 175�
NGTB50N60SWG 具備以下顯著特性:
1. 高額定電壓:能夠承受高達(dá) 600V 的漏源極電壓,適用于高壓�(yīng)用環(huán)境�
2. 低導(dǎo)通電阻:在典型條件下,導(dǎo)通電阻僅� 1.3Ω,可有效降低傳導(dǎo)損��
3. 快速開(kāi)�(guān)性能:具備較低的柵極電荷和輸出電�,有助于�(shí)�(xiàn)高效能開(kāi)�(guān)操作�
4. 高可靠性:通過(guò)�(yán)格的�(cè)試和�(yàn)�,確保在惡劣�(huán)境下的長(zhǎng)期穩(wěn)定性�
5. 熱性能�(yōu)越:DPAK 封裝�(shè)�(jì)提供良好的散熱能�,支持高功率密度�(yīng)��
6. 雪崩能力:能夠承受一定的�(guò)載條�,提升系�(tǒng)的魯棒性�
NGTB50N60SWG 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS)�
- 適配�
- 充電�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
- 工業(yè)電機(jī)控制
- 家用電器�(qū)�(dòng)
3. 逆變器:
- 太陽(yáng)能逆變�
- 不間斷電� (UPS)
4. 工業(yè)控制�
- 固態(tài)繼電�
- �(qū)�(dòng)電路
5. 汽車電子�
- 輔助電源
- 電動(dòng)助力�(zhuǎn)向系�(tǒng) (EPS)
IRFB50N60DPBF, FQR6P50U, STW83N6LLH5