GA1812A390JBLAT31G 是一款基� GaN(氮化鎵)技�(shù)的高效功率晶體管,專為高�、高功率密度�(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的增�(qiáng)� HEMT(高電子遷移率晶體管)結(jié)�(gòu),具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,非常適合用于電源轉(zhuǎn)�、DC-DC �(zhuǎn)換器、無(wú)線充電以及工�(yè)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)��
其封裝形式為表面貼裝型,能夠提供�(yōu)異的散熱性能,同�(shí)具備較高的可靠性和�(wěn)定��
型號(hào):GA1812A390JBLAT31G
類型:GaN 功率晶體�
額定電壓�650V
額定電流�40A
�(dǎo)通電阻:39mΩ
柵極�(qū)�(dòng)電壓�+6V / -4V
最大工作溫度:-40°C � +150°C
封裝形式:TO-247-3L
存儲(chǔ)溫度范圍�-55°C � +175°C
GA1812A390JBLAT31G 的主要特性包括:
1. 高效開關(guān)性能:得益于 GaN 技�(shù),該器件擁有極低的開�(guān)損�,能夠在高頻下保持高效率�
2. 低導(dǎo)通電阻:39mΩ 的導(dǎo)通電阻確保了較低的傳�(dǎo)損�,提高了整體系統(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)速度:具有超短的開關(guān)�(shí)間和低柵極電�,適合高頻應(yīng)��
4. 熱穩(wěn)定性:�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)提供了良好的熱管理能�,使其在高溫�(huán)境下依然保持高性能�
5. 可靠性:�(jīng)�(guò)�(yán)格的�(cè)試和�(yàn)�,確保了器件在各種復(fù)雜環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
6. 易于�(qū)�(dòng):兼容標(biāo)�(zhǔn) MOSFET �(qū)�(dòng)電路,降低了�(shè)�(jì)難度�
GA1812A390JBLAT31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS)�
包括 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器,尤其是在高頻軟開關(guān)�?fù)渲斜憩F(xiàn)卓越�
2. 充電器:
適用于快充適配器及無(wú)線充電設(shè)�,提升充電效率并減小體積�
3. 工業(yè)�(qū)�(dòng)�
如伺服電�(jī)�(qū)�(dòng)器、逆變器等,需要高效能量轉(zhuǎn)換的�(chǎng)��
4. 新能源:
太陽(yáng)能微逆變�、儲(chǔ)能系�(tǒng)中的電力�(zhuǎn)換模塊�
5. �(shù)�(jù)中心電源�
提供高效的電源解決方案以降低能��
GAN040-650WSA, GS66508T