GA1210Y182MBLAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用領(lǐng)域。該器件采用先進的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點,從而有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率。
這款MOSFET屬于N溝道增強型器件,適合在高頻和高電流環(huán)境下工作。其封裝形式為小型表面貼裝類型,有助于簡化PCB布局設(shè)計并提升散熱性能。
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流:45A
導(dǎo)通電阻:1.2mΩ
柵極電荷:39nC
開關(guān)速度:非常快
工作溫度范圍:-55℃至175℃
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),使得傳導(dǎo)損耗顯著降低,適用于高效能應(yīng)用。
2. 高電流承載能力,能夠滿足大功率電路的需求。
3. 快速開關(guān)特性,減少開關(guān)損耗,特別適合高頻操作環(huán)境。
4. 優(yōu)異的熱性能表現(xiàn),確保長時間穩(wěn)定運行。
5. 小尺寸封裝,便于進行緊湊型設(shè)計。
6. 具備較強的抗靜電能力(ESD防護等級高),提高了產(chǎn)品的可靠性。
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
3. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換
4. 工業(yè)電機驅(qū)動控制
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)
6. 多種消費類電子產(chǎn)品中的功率管理模塊
IRF3710
FDP17N06
STP45NF06L