GA1812A123FXAAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專(zhuān)為高效率、低損耗的�(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備較低的�(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,適用于各類(lèi)電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及工業(yè)控制�(lǐng)域。其封裝形式和電氣特性使其成為眾多工程師在設(shè)�(jì)高效能電路時(shí)的理想選��
這款功率 MOSFET 的主要特�(diǎn)是低�(dǎo)通電阻(Rds(on)),從而減少了能量損耗并提升了整體系�(tǒng)的效�。同�(shí),其出色的熱性能確保了在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定��
型號(hào):GA1812A123FXAAT31G
�(lèi)型:N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
最大漏源電�(Vdss)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�50A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2mΩ
功�(Pd)�100W
工作溫度范圍�-55°C to +175°C
封裝形式:TO-247
GA1812A123FXAAT31G 具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(2mΩ�,可有效降低傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)性能,支持高頻應(yīng)�,減少開(kāi)�(guān)損��
3. 出色的熱性能,能夠承受更高的功率密度�
4. �(qiáng)大的�(guò)流保�(hù)能力,確保在異常情況下不�(huì)輕易損壞�
5. 封裝形式兼容性強(qiáng),便于集成到各種�(yīng)用中�
6. 寬泛的工作溫度范圍(-55°C � +175°C�,適合極端環(huán)境下的使用需��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(Switching Power Supplies�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
5. 通信電源
6. 太陽(yáng)能逆變�
7. 電動(dòng)�(chē)及混合動(dòng)力汽�(chē)的電力管理系�(tǒng)
由于其高效的性能表現(xiàn)和寬泛的�(yīng)用適配�,GA1812A123FXAAT31G 成為了許多高要求�(yīng)用場(chǎng)合的首選解決方案�
IRF540N
STP55NF06L
FDP5570N
AOI512