日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好,歡迎來(lái)到維�(kù)電子市場(chǎng)�(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)

您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1812A123FXAAT31G

GA1812A123FXAAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 10:34:21 查看 閱讀�13

GA1812A123FXAAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專(zhuān)為高效率、低損耗的�(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備較低的�(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,適用于各類(lèi)電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及工業(yè)控制�(lǐng)域。其封裝形式和電氣特性使其成為眾多工程師在設(shè)�(jì)高效能電路時(shí)的理想選��
  這款功率 MOSFET 的主要特�(diǎn)是低�(dǎo)通電阻(Rds(on)),從而減少了能量損耗并提升了整體系�(tǒng)的效�。同�(shí),其出色的熱性能確保了在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定��

參數(shù)

型號(hào):GA1812A123FXAAT31G
  �(lèi)型:N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
  最大漏源電�(Vdss)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�50A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�2mΩ
  功�(Pd)�100W
  工作溫度范圍�-55°C to +175°C
  封裝形式:TO-247

特�

GA1812A123FXAAT31G 具備以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(2mΩ�,可有效降低傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高速開(kāi)�(guān)性能,支持高頻應(yīng)�,減少開(kāi)�(guān)損��
  3. 出色的熱性能,能夠承受更高的功率密度�
  4. �(qiáng)大的�(guò)流保�(hù)能力,確保在異常情況下不�(huì)輕易損壞�
  5. 封裝形式兼容性強(qiáng),便于集成到各種�(yīng)用中�
  6. 寬泛的工作溫度范圍(-55°C � +175°C�,適合極端環(huán)境下的使用需��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(Switching Power Supplies�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
  5. 通信電源
  6. 太陽(yáng)能逆變�
  7. 電動(dòng)�(chē)及混合動(dòng)力汽�(chē)的電力管理系�(tǒng)
  由于其高效的性能表現(xiàn)和寬泛的�(yīng)用適配�,GA1812A123FXAAT31G 成為了許多高要求�(yīng)用場(chǎng)合的首選解決方案�

替代型號(hào)

IRF540N
  STP55NF06L
  FDP5570N
  AOI512

ga1812a123fxaat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.012 μF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1812�4532 公制�
  • 大小 / 尺寸0.177" �(zhǎng) x 0.126" 寬(4.50mm x 3.20mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"�2.18mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-