日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好,歡迎來(lái)到維�(kù)電子市場(chǎng)�(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)

您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NVR5198NLT1G

NVR5198NLT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 11:04:36 查看 閱讀�17

NVR5198NLT1G 是一款由安森美(onsemi)推出的高效�、低功耗的N溝道MOSFET。該器件采用了先�(jìn)的制程技�(shù),具有出色的�(dǎo)通電阻和�(kāi)�(guān)性能,廣泛應(yīng)用于各種電源管理及信�(hào)切換�(chǎng)��
  該器件的主要特點(diǎn)是低�(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠在高頻工作條件下提供高效的功率�(zhuǎn)�,同�(shí)其封裝形式緊�,適合于空間受限的設(shè)�(jì)�(huán)��

參數(shù)

型號(hào):NVR5198NLT1G
  類型:N-Channel MOSFET
  Vgs(th)(柵極開(kāi)啟電壓)�1.2V 典型�
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�7mΩ 最大值(� Vgs=10V 條件下)
  最大漏源電� (Vds)�30V
  最大柵源電� (Vgs):�20V
  最大漏極電� (Id)�41A(脈沖條件)
  連續(xù)漏極電流�10.2A
  總功耗:215W
  �(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
  封裝:LFPAK56D (PowerSO-8)

特�

NVR5198NLT1G 的主要特性包括:
  1. 超低�(dǎo)通電� Rds(on),有助于減少傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率�
  2. 支持高電流應(yīng)�,最大脈沖漏極電流可�(dá) 41A�
  3. 高溫工作能力,最高結(jié)溫達(dá)� +175°C,適用于�(yán)苛的工作�(huán)��
  4. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)省PCB板面��
  5. �(wěn)定的電氣性能,可確保�(zhǎng)期運(yùn)行可靠��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
  這些特點(diǎn)使得 NVR5198NLT1G 成為眾多高效電源�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

NVR5198NLT1G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流器�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(jí)�(kāi)�(guān)�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電路中的功率開(kāi)�(guān)�
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)隔離與切��
  6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保�(hù)和切換功��
  由于其低�(dǎo)通電阻和高效�,NVR5198NLT1G 在需要高頻開(kāi)�(guān)或低損耗的�(yīng)用中表現(xiàn)尤為突出�

替代型號(hào)

NVR5198NL, IRF7846TRPBF, FDMQ8209

nvr5198nlt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

nvr5198nlt1g資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

nvr5198nlt1g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�12,268�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �3.97000剪切帶(CT�3,000 : �1.12905卷帶(TR�
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�60 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)1.7A(Ta�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)155 毫歐 @ 1A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)5.1 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)182 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)900mW(Ta�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�SOT-23-3(TO-236�
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3