GA1812A122FBCAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先進的制造工藝以實現(xiàn)更低的導通電阻和更高的效率。該芯片廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、DC-DC�(zhuǎn)換器等高功率密度場景��
其封裝形式為行業(yè)標準的表面貼裝類型,具備出色的散熱性能和可靠�,適用于工業(yè)級和汽車級應(yīng)用環(huán)��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�120A
導通電阻:1.2mΩ
柵極電荷�75nC
總電容:450pF
工作溫度范圍�-40℃至175�
GA1812A122FBCAR31G 提供了非常低的導通電�,從而顯著減少了功率損耗并提高了整體系�(tǒng)效率�
此外,該器件具有快速開�(guān)速度,能夠有效降低開�(guān)損��
其優(yōu)化的熱設(shè)計確保了在高負載條件下的�(wěn)定運�,并且具備強大的短路耐受能力�
同時,內(nèi)置的保護機制如過流保護和熱關(guān)斷功能增強了系統(tǒng)的安全��
該芯片符� AEC-Q101 標準,確保了在極端環(huán)境下的可靠性能�
這款功率 MOSFET 主要用于高效能電力電子設(shè)備中,例如:
電動汽車的牽引逆變�、車載充電器以及 DC-DC �(zhuǎn)換器�
工業(yè)�(lǐng)域中的大功率電機�(qū)動、不間斷電源(UPS)系�(tǒng)�
消費類電子產(chǎn)品中的筆記本電腦適配器、快充頭以及其他高功率密度的 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換模��
此外,在太陽能微逆變器和儲能系統(tǒng)中也得到了廣泛應(yīng)��
GA1812A122FBCAR29G, GA1812A122FBCAR33G