VHF201209H1N2ST是一款基于硅技術的高壓MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),屬于N溝道增強型功率MOSFET。該器件適用于高電壓和中等功率應�,具有較低的導通電阻和良好的開關性能,廣泛用于開關電源、電機驅(qū)�、負載開關和其他功率�(zhuǎn)換系�(tǒng)�
其封裝形式為SOT-23,具備小尺寸和高效散熱的特點,適合緊湊型設計需��
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�2A
導通電阻:4.5Ω
柵極電荷�30nC
開關速度:快�
工作溫度范圍�-55℃至+175�
VHF201209H1N2ST具有以下顯著特性:
1. 高擊穿電壓(650V)使其能夠承受較高的漏源電壓,適應各種高壓環(huán)��
2. 導通電阻低�4.5Ω,在大電流條件下減少功耗并提升效率�
3. 快速開關速度,支持高頻操作,減少開關損��
4. SOT-23小型封裝,節(jié)省PCB空間且易于安��
5. 工作溫度范圍廣(-55℃至+175℃),確保在極端�(huán)境下的可靠��
6. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
這款MOSFET適用于多種應用場�,包括但不限于:
1. 開關電源(SMPS)中的功率開��
2. 直流電機�(qū)動和控制電路�
3. 負載開關和保護電��
4. LED照明�(qū)動器�
5. 電池管理系統(tǒng)中的功率管理模塊�
6. 各類工業(yè)電子設備中的功率�(zhuǎn)換和�(diào)節(jié)電路�
VHF201209H1N1ST, IRF540N, FQP12N60