GA1812A102FBGAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET,專為高效率、低功耗應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開關(guān)速度,適用于多種電力電子應(yīng)用領(lǐng)域。
其封裝形式為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 TO-220 封裝,具備良好的散熱性能和電氣穩(wěn)定性。
型號(hào):GA1812A102FBGAR31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓Vds:650V
最大柵源電壓Vgs:±20V
連續(xù)漏極電流Id:12A
導(dǎo)通電阻Rds(on):0.1Ω(典型值,@ Vgs=10V)
總功耗Ptot:140W
工作溫度范圍Tj:-55℃ 至 +150℃
該器件具有以下主要特點(diǎn):
1. 高耐壓能力,適合高壓環(huán)境下的電路應(yīng)用。
2. 極低的導(dǎo)通電阻,在高電流應(yīng)用場(chǎng)景下能顯著降低功耗。
3. 快速開關(guān)特性,能夠有效減少開關(guān)損耗。
4. 良好的熱穩(wěn)定性和可靠性,確保在惡劣環(huán)境下長時(shí)間運(yùn)行。
5. 支持表面貼裝或通孔安裝,適應(yīng)多種PCB設(shè)計(jì)需求。
GA1812A102FBGAR31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS),包括適配器、充電器等。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng),如直流無刷電機(jī)控制。
3. 工業(yè)逆變器和變頻器。
4. LED照明驅(qū)動(dòng)電路。
5. 電池保護(hù)和管理系統(tǒng)(BMS)。
6. 其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場(chǎng)景。
IRF840, STP12NM65, FQP17N65C