B39941B9515P810 是一款由英飛凌(Infineon)生�(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 TO-263-3 封裝形式,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流處理能力,廣泛�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載切換等�(yīng)用場(chǎng)合。該 MOSFET 具有快速開(kāi)�(guān)速度和高效率的特�(diǎn),適用于需要高性能功率管理的應(yīng)用場(chǎng)��
該型�(hào)的命名規(guī)則遵循了英飛凌的�(biāo)�(zhǔn),其中包含了電壓等級(jí)、封裝形式以及性能參數(shù)的信�。通過(guò)其設(shè)�(jì),B39941B9515P810 能夠滿足工業(yè)和消�(fèi)電子�(lǐng)域的多種需��
最大漏源電壓:150V
連續(xù)漏極電流�28A
�(dǎo)通電阻:7.5mΩ
柵極電荷�36nC
總功耗:125W
工作溫度范圍�-55� to 175�
B39941B9515P810 的主要特�(diǎn)是其低導(dǎo)通電阻和高效率,在高電流�(yīng)用中能夠顯著減少功率損�。同�(shí),該器件具備良好的熱�(wěn)定性和可靠�,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)正常�(yùn)��
此外,由于采用了先�(jìn)的制造工�,該 MOSFET 在高頻開(kāi)�(guān)條件下表�(xiàn)出色,能夠有效降低開(kāi)�(guān)損�。它的短路耐受能力和抗浪涌能力較強(qiáng),因此在�(fù)雜電路環(huán)境中也具有很高的耐用性�
B39941B9515P810 的封裝形� TO-263-3 提供了良好的散熱性能,并且易于安裝在印刷電路板上。這種�(shè)�(jì)使其非常適合用于緊湊型和高性能的設(shè)�(jì)方案�
該功� MOSFET 廣泛�(yīng)用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和�(kāi)�(guān)控制的領(lǐng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變�、不間斷電源(UPS�、電�(jī)�(qū)�(dòng)控制器、LED �(qū)�(dòng)器以及其他工�(yè)和消�(fèi)類電子設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
此外,B39941B9515P810 還可以用于電池管理系�(tǒng)(BMS),幫助�(shí)�(xiàn)精確的電流控制和高效的能量管�。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使得它成為許多大功率應(yīng)用的理想選擇�
BSC016N06NS3, IRF540N