GA1210Y681MXEAT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于電源管�、電機驅(qū)動以及開�(guān)應用等場�。該芯片采用先進的制造工�,能夠提供低導通電阻和高效率的能量�(zhuǎn)�。其封裝形式為TO-263(D2PAK),具備出色的散熱性能,適合在高電流和高電壓環(huán)境下工作�
該芯片適用于工業(yè)�(shè)�、汽車電子、消費電子產(chǎn)品等多個領(lǐng)�。通過�(yōu)化設(shè)�,它能夠在高頻開�(guān)條件下保持較低的開關(guān)損耗,從而提升整體系�(tǒng)效率�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�120A
導通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�120nC
總功耗:250W
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-263(D2PAK�
GA1210Y681MXEAT31G具有以下主要特性:
1. 極低的導通電�,有助于減少傳導損耗并提高效率�
2. 高電流承載能�,支持高�120A的連續(xù)漏極電流�
3. �(yōu)秀的熱性能,可有效降低芯片的工作溫�,延長使用壽��
4. 良好的開�(guān)性能,在高頻條件下表�(xiàn)出色�
5. 寬泛的工作溫度范圍,使其能夠適應多種惡劣�(huán)境條��
6. 封裝形式緊湊且堅固,便于安裝和維��
該芯片廣泛應用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流��
2. 電動工具和家用電器中的電機驅(qū)動電��
3. 汽車電子系統(tǒng)中的負載開關(guān)和DC-DC�(zhuǎn)換器�
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模��
5. 太陽能逆變器和其他新能源相�(guān)�(chǎn)品的功率變換部分�
其強大的性能和可靠性使得它成為許多高要求應用的理想選擇�
IRFZ44N
STP120NF06L
FDP12N60E