GA1210Y681JXEAT31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開�(guān)等電路中。該器件采用了先�(jìn)的溝槽式工藝制造,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)效率并減少功率損��
此型�(hào)屬于溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體� (MOSFET),支持高頻工作環(huán)境,并且具備良好的熱�(wěn)定性和可靠�,適用于多種工業(yè)及消�(fèi)類電子產(chǎn)��
類型:N-channel MOSFET
最大漏源電� VDS�100V
最大柵源電� VGS:�20V
連續(xù)漏極電流 ID�15A
�(dǎo)通電� RDS(on)�4.5mΩ(典型�,在 VGS=10V �(shí)�
輸入電容 Ciss�1750pF
輸出電容 Coff�390pF
反向傳輸電容 Crss�42pF
總功� Ptot�130W
�(jié)溫范� Tj�-55� � +175�
封裝形式:TO-247
GA1210Y681JXEAT31G 具有以下主要特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)�,可以有效降低導(dǎo)通損�,提升整體效率�
2. 高速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)合�
3. �(nèi)� ESD 保護(hù)電路,增�(qiáng)了器件的抗靜電能��
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在極端溫度條件下可靠運(yùn)��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
6. 支持大電流操�,滿足高功率需求的�(yīng)用場(chǎng)��
這些特性使得該器件非常適合用于需要高效能量轉(zhuǎn)換和高可靠性的電力電子�(shè)備中�
該芯片主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 的主開關(guān)管或同步整流��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)元件�
4. 各種�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
5. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的充放電控��
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
由于其出色的電氣性能和可靠性,GA1210Y681JXEAT31G 成為許多高要求應(yīng)用的理想選擇�
GA1210Y681JXEAT31G 的常見替代型�(hào)包括:IRFZ44N, FQP17N10, AO3400A