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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1210Y681JXEAT31G

GA1210Y681JXEAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/27 8:49:15 查看 閱讀�15

GA1210Y681JXEAT31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開�(guān)等電路中。該器件采用了先�(jìn)的溝槽式工藝制造,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)效率并減少功率損��
  此型�(hào)屬于溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體� (MOSFET),支持高頻工作環(huán)境,并且具備良好的熱�(wěn)定性和可靠�,適用于多種工業(yè)及消�(fèi)類電子產(chǎn)��

參數(shù)

類型:N-channel MOSFET
  最大漏源電� VDS�100V
  最大柵源電� VGS:�20V
  連續(xù)漏極電流 ID�15A
  �(dǎo)通電� RDS(on)�4.5mΩ(典型�,在 VGS=10V �(shí)�
  輸入電容 Ciss�1750pF
  輸出電容 Coff�390pF
  反向傳輸電容 Crss�42pF
  總功� Ptot�130W
  �(jié)溫范� Tj�-55� � +175�
  封裝形式:TO-247

特�

GA1210Y681JXEAT31G 具有以下主要特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)�,可以有效降低導(dǎo)通損�,提升整體效率�
  2. 高速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)合�
  3. �(nèi)� ESD 保護(hù)電路,增�(qiáng)了器件的抗靜電能��
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在極端溫度條件下可靠運(yùn)��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
  6. 支持大電流操�,滿足高功率需求的�(yīng)用場(chǎng)��
  這些特性使得該器件非常適合用于需要高效能量轉(zhuǎn)換和高可靠性的電力電子�(shè)備中�

�(yīng)�

該芯片主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 的主開關(guān)管或同步整流��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)元件�
  4. 各種�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  5. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的充放電控��
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
  由于其出色的電氣性能和可靠性,GA1210Y681JXEAT31G 成為許多高要求應(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

GA1210Y681JXEAT31G 的常見替代型�(hào)包括:IRFZ44N, FQP17N10, AO3400A

ga1210y681jxeat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容680 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-