GA0805A151GBBBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先進的制造工藝設計。該芯片主要應用于高效率、高頻率的開關電源、DC-DC轉換�、電機驅動以及負載開關等場景�
其封裝形式為 LFPAK8 封裝,具有低導通電阻和快速開關特�,適合需要高電流承載能力和高效能量轉換的應用�(huán)境�
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電壓Vds�40V
最大柵源電壓Vgs:�20V
最大連續(xù)漏極電流Id�80A
導通電阻Rds(on)�1.5mΩ(典型�,Vgs=10V�
總功耗Ptot�76W
結溫范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:LFPAK8
GA0805A151GBBBT31G 的核心優(yōu)勢在于其出色的電氣性能和可靠性:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),有助于減少導通損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速的開關速度,適用于高頻應用場合�
3. 高電流承載能�,確保在大電流條件下�(wěn)定運��
4. 具備�(yōu)異的熱性能表現(xiàn),能夠有效降低芯片工作時的溫度上��
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際�(guī)范要求�
6. 采用 LFPAK8 封裝技�,具備良好的散熱特性和緊湊的尺�,非常適合空間受限的設計�
該型號的 MOSFET 廣泛用于以下領域�
1. 開關電源 (SMPS),例如適配器、充電器及工�(yè)電源模塊�
2. DC-DC 轉換器中的同步整流或主開關管�
3. 電機驅動電路中的功率級控��
4. 各類負載開關和保護電路�
5. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的大電流切換控��
6. 電信和數(shù)據通信設備中的功率管理單元�
7. 汽車電子中,如電動助力轉向系�(tǒng)和空調壓縮機控制�
GA0805A151GBBBT31L, IRF7846TRPBF, FDP057AN