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GA1210Y562MBEAR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/30 14:03:01 查看 閱讀�12

GA1210Y562MBEAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該器件采用先進的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高效率的特點,能夠顯著提升電路性能并降低能耗�
  該型號屬于增強型N溝道MOSFET系列,適合高頻開�(guān)�(yīng)�。其封裝形式為TO-247-3,具有良好的散熱性能和電氣穩(wěn)定�,適用于需要大電流處理能力的場��

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�12A
  �(dǎo)通電阻:0.08Ω
  柵極電荷�60nC
  輸入電容�1200pF
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

GA1210Y562MBEAR31G的主要特性包括:
  1. 高耐壓能力,能夠承受高�650V的漏源電�,確保在高壓�(huán)境下�(wěn)定運��
  2. 極低的導(dǎo)通電阻(0.08Ω�,有效減少導(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率�
  3. 快速開�(guān)速度,得益于較小的柵極電荷(60nC�,可支持高頻工作需��
  4. 采用TO-247-3封裝,提供出色的散熱性能,適合大功率�(yīng)用場景�
  5. 寬泛的工作溫度范圍(-55℃至+150℃),適�(yīng)各種惡劣�(huán)境下的使用要求�
  6. 具備較高的電氣可靠性和機械強度,延長使用壽命�

�(yīng)�

這款MOSFET廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電機�(qū)動與控制
  4. 工業(yè)自動化設(shè)�
  5. 太陽能逆變�
  6. 不間斷電源(UPS�
  7. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電保護

替代型號

IRFZ44N
  STP12NM65
  FDP18N65S
  IXYS IXFN120N65T2

ga1210y562mbear31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容5600 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-