GA1210Y562MBEAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該器件采用先進的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高效率的特點,能夠顯著提升電路性能并降低能耗�
該型號屬于增強型N溝道MOSFET系列,適合高頻開�(guān)�(yīng)�。其封裝形式為TO-247-3,具有良好的散熱性能和電氣穩(wěn)定�,適用于需要大電流處理能力的場��
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�12A
�(dǎo)通電阻:0.08Ω
柵極電荷�60nC
輸入電容�1200pF
工作溫度范圍�-55℃至+150�
GA1210Y562MBEAR31G的主要特性包括:
1. 高耐壓能力,能夠承受高�650V的漏源電�,確保在高壓�(huán)境下�(wěn)定運��
2. 極低的導(dǎo)通電阻(0.08Ω�,有效減少導(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)速度,得益于較小的柵極電荷(60nC�,可支持高頻工作需��
4. 采用TO-247-3封裝,提供出色的散熱性能,適合大功率�(yīng)用場景�
5. 寬泛的工作溫度范圍(-55℃至+150℃),適�(yīng)各種惡劣�(huán)境下的使用要求�
6. 具備較高的電氣可靠性和機械強度,延長使用壽命�
這款MOSFET廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機�(qū)動與控制
4. 工業(yè)自動化設(shè)�
5. 太陽能逆變�
6. 不間斷電源(UPS�
7. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電保護
IRFZ44N
STP12NM65
FDP18N65S
IXYS IXFN120N65T2