WNM10315DN是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)景中。其封裝形式為TO-263,適用于表面貼裝技�(shù)(SMT�,并具備良好的散熱性能�
型號(hào):WNM10315DN
類型:N溝道MOSFET
封裝:TO-263
Vds(漏源極電壓):100V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�15mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):31A
Vgs(th)(柵極閾值電壓)�2.5V
fmax(最大工作頻率)�5MHz
Ptot(總功耗)�118W
WNM10315DN的主要特性包括低�(dǎo)通電阻(Rds(on)僅為15mΩ�,這使得它在功率應(yīng)用中能夠有效降低傳導(dǎo)損耗。同�(shí),其快速開�(guān)能力使其非常適合高頻開關(guān)電路,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器以及電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)��
此外,該器件的高擊穿電壓(Vds�100V)確保了其在高壓�(huán)境下的可靠運(yùn)�。WNM10315DN還支持低�2.5V的柵極驅(qū)�(dòng)電壓,這與�(xiàn)代低壓邏輯電路兼�,從而簡(jiǎn)化了�(shè)�(jì)過程�
該器件采用TO-263封裝,這種封裝形式不僅支持高效的熱傳導(dǎo),還允許自動(dòng)化的表面貼裝生產(chǎn),提高了制造效��
WNM10315DN適用于多種功率電子領(lǐng)�,包括但不限于以下應(yīng)用場(chǎng)景:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率級(jí)開關(guān)元件�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的主開關(guān)或同步整流開�(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率控制元件�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載切換開�(guān)�
5. 逆變器電路中的功率開�(guān)�
由于其優(yōu)異的電氣特性和可靠�,WNM10315DN成為許多功率�(zhuǎn)換和控制�(yīng)用的理想選擇�
WNM10320DN, IRFZ44N, FDP5500