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時(shí)間：2025/5/29 13:26:56
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GA1210Y392KBEAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝，在導(dǎo)通電阻、開關(guān)速度和耐壓能力等方面表現(xiàn)出色，能夠有效降低系統(tǒng)功耗并提升效率。
該器件具有極低的導(dǎo)通電阻以及優(yōu)化的柵極電荷特性，適合高頻工作環(huán)境下的功率轉(zhuǎn)換需求。此外，它還具備出色的熱性能和可靠性，確保在嚴(yán)苛的工作條件下依然能夠穩(wěn)定運(yùn)行。
類型：功率 MOSFET
封裝：TO-247
最大漏源電壓(Vds)：1200V
最大柵源電壓(Vgs)：±20V
連續(xù)漏極電流(Id)：31A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：39mΩ（典型值，Vgs=10V）
柵極電荷(Qg)：85nC
反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：65ns
工作溫度范圍：-55℃ to +175℃
1. 高耐壓能力：支持高達(dá) 1200V 的漏源電壓，適用于高壓應(yīng)用場景。
2. 極低導(dǎo)通電阻：Rds(on) 僅為 39mΩ（典型值），顯著降低傳導(dǎo)損耗。
3. 快速開關(guān)性能：優(yōu)化的柵極電荷設(shè)計(jì)使開關(guān)速度更快，有助于提高系統(tǒng)效率。
4. 強(qiáng)大的電流承載能力：連續(xù)漏極電流高達(dá) 31A，滿足大功率應(yīng)用需求。
5. 優(yōu)異的熱性能：采用 TO-247 封裝，散熱效果良好，可承受高功率密度。
6. 廣泛的工作溫度范圍：支持從 -55℃ 到 +175℃ 的極端溫度條件，適應(yīng)各種環(huán)境。
7. 可靠性高：通過嚴(yán)格的測試與驗(yàn)證，確保長期使用中的穩(wěn)定性。
1. 開關(guān)電源（SMPS）
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
3. 逆變器
4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)
5. 工業(yè)控制
6. 太陽能逆變器
7. 電動(dòng)汽車充電設(shè)備
8. 高壓功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)
GA1210Y392KBEAT32G, IRFP260N, STW83N120K5
