GA355QR7GF332KW01L 是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率、高頻開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,適用于各種電源轉(zhuǎn)換場景,例如DC-DC轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源(SMPS)、電機(jī)驅(qū)動等。其封裝形式和電氣特性使其在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定性能。
類型:N溝道增強(qiáng)型 MOSFET
工作電壓:650V
連續(xù)漏極電流:35A
導(dǎo)通電阻:2.5mΩ
柵極電荷:80nC
總功耗:200W
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
封裝形式:TO-247
GA355QR7GF332KW01L 的主要特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓,這使得它在功率轉(zhuǎn)換過程中能夠顯著減少能量損耗。
此外,該器件具備快速開關(guān)能力,能夠有效降低開關(guān)損耗,提升整體系統(tǒng)效率。
內(nèi)置的雪崩保護(hù)功能增強(qiáng)了其在異常條件下的耐用性。
由于采用了優(yōu)化的散熱設(shè)計(jì),該芯片能夠在較高結(jié)溫下持續(xù)運(yùn)行,從而延長使用壽命。
同時,其良好的電磁兼容性(EMC)表現(xiàn)也使其適合于復(fù)雜電磁環(huán)境中的應(yīng)用。
該芯片廣泛應(yīng)用于工業(yè)及消費(fèi)類電子領(lǐng)域,包括但不限于以下場景:
1. 開關(guān)電源(SMPS)
2. 電動工具和家用電器的電機(jī)驅(qū)動
3. 新能源汽車中的DC-DC轉(zhuǎn)換器
4. 太陽能逆變器和其他可再生能源設(shè)備
5. 不間斷電源(UPS)系統(tǒng)
6. 高頻共振變換器
這些應(yīng)用場景均得益于其高效的功率轉(zhuǎn)換能力和可靠的性能表現(xiàn)。
IRFP460N
FDP150N10A
STP36NF06L