GA1210Y223KBJAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于高頻開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和DC-DC�(zhuǎn)換等�(yīng)用領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能,能夠顯著提升電路效率并降低功��
這款芯片適合在高電流和高電壓�(huán)境下工作,同�(shí)具備良好的電磁兼容性和�(wěn)定�,廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、消�(fèi)電子和汽車電子等�(lǐng)��
型號(hào):GA1210Y223KBJAR31G
類型:N溝道功率MOSFET
封裝:TO-247
最大漏源電�(Vds)�650V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大漏極電�(Id)�18A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�0.15Ω
柵極電荷(Qg)�45nC
�(kāi)�(guān)頻率�1MHz
工作溫度范圍�-55℃至+150�
GA1210Y223KBJAR31G 具有以下主要特性:
1. 超低�(dǎo)通電�,減少功率損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,支持高�(dá)1MHz的工作頻�,適用于高頻�(yīng)用�
3. �(qiáng)大的�(guò)流保�(hù)功能,確保器件在異常條件下仍然安全可靠�
4. 出色的熱性能,能夠有效散�,延�(zhǎng)使用壽命�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
6. �(wěn)定性高,能夠在惡劣�(huán)境下保持正常工作狀�(tài)�
GA1210Y223KBJAR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率輸出�(jí)�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
5. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)或逆變器組��
6. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換部��
IRFP460,
FDP177N65B,
STW93N65M5