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GA1210Y223KBJAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 13:16:13 查看 閱讀�13

GA1210Y223KBJAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于高頻開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和DC-DC�(zhuǎn)換等�(yīng)用領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能,能夠顯著提升電路效率并降低功��
  這款芯片適合在高電流和高電壓�(huán)境下工作,同�(shí)具備良好的電磁兼容性和�(wěn)定�,廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、消�(fèi)電子和汽車電子等�(lǐng)��

參數(shù)

型號(hào):GA1210Y223KBJAR31G
  類型:N溝道功率MOSFET
  封裝:TO-247
  最大漏源電�(Vds)�650V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  最大漏極電�(Id)�18A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�0.15Ω
  柵極電荷(Qg)�45nC
  �(kāi)�(guān)頻率�1MHz
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

GA1210Y223KBJAR31G 具有以下主要特性:
  1. 超低�(dǎo)通電�,減少功率損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 高速開(kāi)�(guān)能力,支持高�(dá)1MHz的工作頻�,適用于高頻�(yīng)用�
  3. �(qiáng)大的�(guò)流保�(hù)功能,確保器件在異常條件下仍然安全可靠�
  4. 出色的熱性能,能夠有效散�,延�(zhǎng)使用壽命�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
  6. �(wěn)定性高,能夠在惡劣�(huán)境下保持正常工作狀�(tài)�

�(yīng)�

GA1210Y223KBJAR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)�(guān)管或同步整流��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率輸出�(jí)�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
  5. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)或逆變器組��
  6. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換部��

替代型號(hào)

IRFP460,
  FDP177N65B,
  STW93N65M5

ga1210y223kbjar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.022 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定16V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-