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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > K9K8G08UOE-SIBO

K9K8G08UOE-SIBO 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/19 16:52:59 查看 閱讀�20

K9K8G08UOE-SIBO是三星(Samsung)生�(chǎn)的一款NAND閃存芯片,采用MLC(多層單元)技�(shù)。該芯片具有高密度存�(chǔ)能力,適用于需要大容量�(shù)�(jù)存儲(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)�,例如固�(tài)硬盤(SSD)、USB閃存盤和嵌入式存�(chǔ)�(shè)��
  這款芯片的設(shè)�(jì)注重性能與可靠�,支持較高速的�(shù)�(jù)傳輸速率,并且具備良好的功耗管理特性。它廣泛�(yīng)用于消費(fèi)類電�、工�(yè)控制以及�(wǎng)�(luò)通信等領(lǐng)域�

參數(shù)

容量�128Gb�16GB�
  接口類型:Toggle Mode 2.0
  工作電壓�1.8V
  封裝形式:BGA
  引腳�(shù)�169
  �(shù)�(jù)傳輸速率:最高可�(dá)200MB/s
  工作溫度范圍�-25°C�+85°C
  擦寫周期�3000次(典型值)

特�

K9K8G08UOE-SIBO采用了先�(jìn)的制程工�,確保了其在存儲(chǔ)密度和能耗方面的�(yōu)異表�(xiàn)�
  1. 高存�(chǔ)密度:單顆芯片即可提�16GB的存�(chǔ)空間,適合需要大容量存儲(chǔ)的應(yīng)用�
  2. 快速數(shù)�(jù)傳輸:支持Toggle Mode 2.0接口,能�?qū)崿F(xiàn)高達(dá)200MB/s的數(shù)�(jù)傳輸速度�
  3. 良好的可靠性和耐用性:擦寫周期�(dá)�3000�,滿足常�(guī)存儲(chǔ)需��
  4. 廣泛的工作溫度范圍:�-25°C�+85°C,適�(yīng)多種�(huán)境條件下的應(yīng)��
  5. 功耗優(yōu)化設(shè)�(jì):通過智能功耗管理技�(shù)降低整體能�,提高設(shè)備續(xù)航能力�

�(yīng)�

K9K8G08UOE-SIBO主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 固態(tài)硬盤(SSD):作為核心存儲(chǔ)組件,為SSD提供大容量存�(chǔ)支持�
  2. USB閃存盤:用于制造高性能的USB存儲(chǔ)�(shè)��
  3. 嵌入式系�(tǒng):如工業(yè)控制�(shè)備、網(wǎng)�(luò)通信�(shè)備等需要穩(wěn)定可靠存�(chǔ)解決方案的場(chǎng)��
  4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:例如�(shù)碼相�(jī)、平板電腦和其他便攜式電子設(shè)備中的數(shù)�(jù)存儲(chǔ)模塊�

替代型號(hào)

K9K8G08UOD-SIBO
  K9K8G08UOM-SIBO

k9k8g08uoe-sibo推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)