GA1210Y184MBBAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等領(lǐng)域。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
該型�(hào)是為滿足工業(yè)�(jí)�(yīng)用而設(shè)�(jì),能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)�(wěn)定運(yùn)�,同�(shí)具備�(yōu)異的抗電磁干擾能��
�(lèi)型:N溝道MOSFET
最大漏源電�(Vds)�120V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�10A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�18mΩ
柵極電荷(Qg)�65nC
工作溫度范圍�-55� to +175�
GA1210Y184MBBAR31G的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少�(dǎo)通損耗并提高整體效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)景�
3. 較寬的工作溫度范�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境�
4. �(qiáng)大的熱穩(wěn)定�,確保長(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行的安全性�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛封��
6. �(yōu)化的ESD防護(hù)�(shè)�(jì),增�(qiáng)了芯片的可靠性�
這款功率MOSFET適用于多種場(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)�(guān)��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的同步整流管或開(kāi)�(guān)��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)元件�
4. �(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路中的電子�(kāi)�(guān)�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
6. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的高壓�(qū)�(dòng)組件�
IRFZ44N
STP10NK60Z
FDP15U20A
IXTH10N120T2