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GA1210Y184MBBAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 18:00:15 查看 閱讀�18

GA1210Y184MBBAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等領(lǐng)域。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
  該型�(hào)是為滿足工業(yè)�(jí)�(yīng)用而設(shè)�(jì),能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)�(wěn)定運(yùn)�,同�(shí)具備�(yōu)異的抗電磁干擾能��

參數(shù)

�(lèi)型:N溝道MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�120V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�10A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�18mΩ
  柵極電荷(Qg)�65nC
  工作溫度范圍�-55� to +175�

特�

GA1210Y184MBBAR31G的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少�(dǎo)通損耗并提高整體效率�
  2. 高速開(kāi)�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)景�
  3. 較寬的工作溫度范�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境�
  4. �(qiáng)大的熱穩(wěn)定�,確保長(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行的安全性�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛封��
  6. �(yōu)化的ESD防護(hù)�(shè)�(jì),增�(qiáng)了芯片的可靠性�

�(yīng)�

這款功率MOSFET適用于多種場(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)�(guān)��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器的同步整流管或開(kāi)�(guān)��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)元件�
  4. �(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路中的電子�(kāi)�(guān)�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
  6. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的高壓�(qū)�(dòng)組件�

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP10NK60Z
  FDP15U20A
  IXTH10N120T2

ga1210y184mbbar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.18 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-