BUK7Y4R8-60E是安森美(ON Semiconductor)推出的N溝道增強型MOSFET,采用PowerT5-1封裝形式。該器件具有低導通電阻和高效率的特�,廣泛應用于開關電源、電機驅�、DC-DC轉換器以及其他需要高效功率管理的電子設備中�
這款MOSFET設計用于承受較高的電�,并在高頻應用中表現(xiàn)出優(yōu)異的性能。其�(yōu)化的開關特性和低損耗使其成為眾多功率轉換應用的理想選擇�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�12.3A
導通電阻:4.8mΩ
柵極電荷�35nC
總功耗:17W
工作結溫范圍�-55℃至175�
BUK7Y4R8-60E的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,能夠顯著降低傳導損耗�
2. 高速開關能�,適合高頻功率轉換應用�
3. 具備強大的雪崩能力和耐用�,提高系�(tǒng)可靠��
4. 小尺寸封裝,節(jié)省PCB空間�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保無��
6. 能夠在較寬的溫度范圍內穩(wěn)定工�,適用于嚴苛�(huán)境下的應��
BUK7Y4R8-60E適用于以下領域:
1. 開關模式電源(SMPS�
2. DC-DC轉換�
3. 電機控制與驅�
4. 工業(yè)自動化設�
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
6. 各種消費類電子產(chǎn)品中的功率管理電�