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GA1210Y183MXLAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 22:45:11 查看 閱讀�10

GA1210Y183MXLAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和良好的熱性能�
  其封裝形式為 LAR31G,適用于高密度設(shè)�(jì)�(huán)境,并支持表面貼裝技�(shù)(SMT�,從而簡化了生產(chǎn)流程并提高了可靠性�

參數(shù)

型號(hào):GA1210Y183MXLAR31G
  類型:N溝道功率 MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):120 V
  最大柵源電壓(Vgs):±20 V
  連續(xù)漏極電流(Id):35 A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5 mΩ
  柵極電荷(Qg):70 nC
  總功耗(Ptot):230 W
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝:LAR31G

特�

GA1210Y183MXLAR31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),僅� 4.5 mΩ,這顯著降低了傳導(dǎo)損�,從而提升了整體效率�
  2. 高速開�(guān)能力,柵極電� Qg 僅為 70 nC,確保快速切換狀�(tài)以減少開�(guān)損��
  3. 大漏極電流容� Id �(dá)� 35 A,適合大功率�(yīng)用需��
  4. 寬泛的工作溫度范圍(-55°C � +175°C�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)��
  5. 表面貼裝封裝 LAR31G,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和提高電路板空間利用��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中作為主開�(guān)管或同步整流��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)中的逆變橋臂或斬波控制�
  3. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件�
  4. 可再生能源系�(tǒng)(如太陽能逆變器)中的功率�(zhuǎn)換模塊�
  5. 各類工業(yè)�(shè)備和消費(fèi)電子�(chǎn)品的電源管理單元�

替代型號(hào)

GA1210Y183MXLAR31G-A, GA1210Y183MXLAR31G-B

ga1210y183mxlar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.018 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-