GA1210Y183MXLAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和良好的熱性能�
其封裝形式為 LAR31G,適用于高密度設(shè)�(jì)�(huán)境,并支持表面貼裝技�(shù)(SMT�,從而簡化了生產(chǎn)流程并提高了可靠性�
型號(hào):GA1210Y183MXLAR31G
類型:N溝道功率 MOSFET
最大漏源電壓(Vds):120 V
最大柵源電壓(Vgs):±20 V
連續(xù)漏極電流(Id):35 A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5 mΩ
柵極電荷(Qg):70 nC
總功耗(Ptot):230 W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝:LAR31G
GA1210Y183MXLAR31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),僅� 4.5 mΩ,這顯著降低了傳導(dǎo)損�,從而提升了整體效率�
2. 高速開�(guān)能力,柵極電� Qg 僅為 70 nC,確保快速切換狀�(tài)以減少開�(guān)損��
3. 大漏極電流容� Id �(dá)� 35 A,適合大功率�(yīng)用需��
4. 寬泛的工作溫度范圍(-55°C � +175°C�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)��
5. 表面貼裝封裝 LAR31G,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和提高電路板空間利用��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中作為主開�(guān)管或同步整流��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)中的逆變橋臂或斬波控制�
3. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件�
4. 可再生能源系�(tǒng)(如太陽能逆變器)中的功率�(zhuǎn)換模塊�
5. 各類工業(yè)�(shè)備和消費(fèi)電子�(chǎn)品的電源管理單元�
GA1210Y183MXLAR31G-A, GA1210Y183MXLAR31G-B