CBW321609U800T 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率開�(guān)器件,廣泛應用于高頻電源�(zhuǎn)換、DC-DC�(zhuǎn)換器以及光伏逆變器等場景。其獨特的材料特性和設計�(jié)�(gòu)使其具備出色的開�(guān)性能和低導通電阻,從而顯著提高系�(tǒng)的效率并減小整體尺寸�
該芯片采用先進的封裝工藝,支持高頻率操作,并具有�(nèi)置保護功能以增強可靠性�
型號:CBW321609U800T
類型:GaN 功率晶體�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�9A
導通電阻:80mΩ(典型值)
柵極電荷�40nC(典型值)
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝形式:TO-247-4L
CBW321609U800T 的主要特性包括:
1. 使用氮化鎵材料制�,提供卓越的高頻性能和更低的開關(guān)損��
2. 極低的導通電阻降低了傳導損�,提升了整體系統(tǒng)效率�
3. �(nèi)置過流保護和熱關(guān)斷功�,確保在異常情況下芯片的安全運行�
4. 支持高達 2MHz 的開�(guān)頻率,非常適合高頻應用需��
5. 小巧的封裝形式有效節(jié)省了 PCB 空間,適合緊湊型設計�
6. 具有良好的散熱性能,適用于高溫�(huán)境下的長期穩(wěn)定工��
這款芯片可應用于以下�(lǐng)域:
1. 高效 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器
2. �(shù)�(jù)中心服務器電�
3. 電動汽車充電設備
4. 太陽能微逆變器及�(yōu)化器
5. 工業(yè)電機�(qū)動控�
6. LED �(qū)動電�
7. 筆記本適配器和其他消費類電子�(chǎn)品的快速充電解決方�
CBW321609U650T, CFW321609U800T