時(shí)間：2025/5/27 8:44:29
閱讀：8
GA1210Y183JXJAR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶體管，廣泛應(yīng)用于電源管理、開關(guān)電路和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點(diǎn)，能夠有效提高系統(tǒng)效率并減少能量損耗。
此型號(hào)屬于溝道型 MOSFET，其設(shè)計(jì)優(yōu)化了熱性能和電氣性能，非常適合用于高頻率、高效率的電子應(yīng)用環(huán)境。
類型：N-Channel MOSFET
最大漏源電壓（Vds）：120V
最大柵源電壓（Vgs）：±20V
連續(xù)漏極電流（Id）：10A
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：30mΩ
總功耗（Ptot）：15W
工作溫度范圍：-55℃ 至 175℃
封裝形式：TO-263
GA1210Y183JXJAR31G 的主要特性包括以下幾點(diǎn)：
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），可顯著降低功率損耗。
2. 快速開關(guān)能力，支持高頻操作，適用于開關(guān)電源及 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
3. 高雪崩擊穿能量，增強(qiáng)了器件在異常情況下的耐受能力。
4. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且可靠。
5. 內(nèi)置保護(hù)機(jī)制，提升了整體系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
6. 封裝設(shè)計(jì)緊湊，便于安裝和散熱。
該 MOSFET 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)模式電源（SMPS）中的功率轉(zhuǎn)換與調(diào)節(jié)。
2. 各種類型的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，例如無刷直流電機(jī)控制器。
4. LED 驅(qū)動(dòng)電路中的恒流控制。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換。
6. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和電機(jī)控制模塊。
IRFZ44N
FDP5500
STP10NK120Z
