GA1210Y154MBAAR31G 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)器件,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動和信號切換等領(lǐng)�。該芯片采用先進的工藝技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能等特�。其封裝形式� LFPAK8,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和小型化的需求�
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強型器�,主要針對高頻開�(guān)�(yīng)用進行了優(yōu)�。由于其�(yōu)異的電氣特性和可靠�,它被廣泛用于消費電�、工�(yè)控制以及通信�(shè)備中�
類型:N溝道 MOSFET
封裝:LFPAK8
最大漏源電�(Vds)�150V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�-76A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.9mΩ
柵極電荷(Qg)�80nC
總電�(Ciss)�1450pF
開關(guān)頻率:高� 1MHz
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA1210Y154MBAAR31G 具有以下顯著特點�
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高電流處理能力,支持大負載應(yīng)��
3. 快速開�(guān)速度,適合高頻電路設(shè)��
4. 強大的熱性能表現(xiàn),確保在高溫�(huán)境下�(wěn)定運��
6. 小型化的 LFPAK8 封裝,節(jié)� PCB 空間�
這些特性使該器件非常適合需要高效能和緊湊設(shè)計的�(yīng)用場��
GA1210Y154MBAAR31G 可用于多種領(lǐng)域,包括但不限于以下方面�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流��
2. DC/DC �(zhuǎn)換器的核心開�(guān)元件�
3. 電動工具和家用電器中的電機驅(qū)��
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號切換�
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護電路�
6. 通信基礎(chǔ)�(shè)施中的電源模��
憑借其卓越的性能,該芯片能夠為各類應(yīng)用提供可靠的解決方案�
GA1210Y154MBBAR31G, IRF7754PbF, FDP16N10B