CRTT055N10N是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,由英諾賽科(Innoscience)生�(chǎn)。該器件采用了先�(jìn)�8英寸硅基氮化鎵工藝,具有高功率密�、低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于高頻高效電源�(zhuǎn)換應(yīng)�,例如數(shù)�(jù)中心電源、通信電源和工�(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)��
該芯片通過(guò)�(yōu)化設(shè)�(jì)�(shí)�(xiàn)了更小的封裝尺寸和更高的效率,同�(shí)具備良好的熱性能和可靠��
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�5.5A
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ
柵極電荷�30nC
輸入電容�1200pF
輸出電容�160pF
反向傳輸電容�25pF
工作溫度范圍�-55℃至150�
CRTT055N10N具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有效降低傳�(dǎo)損�,提升整體效率�
2. 高速開�(guān)能力,支持MHz�(jí)別的開關(guān)頻率,非常適合高頻應(yīng)��
3. 小型化的DFN8x8封裝形式,有助于節(jié)省PCB空間并簡(jiǎn)化布局�
4. �(nèi)置ESD保護(hù)電路,增�(qiáng)器件的抗靜電能力�
5. 高度可靠的硅基氮化鎵技�(shù),提供長(zhǎng)期穩(wěn)定的性能表現(xiàn)�
6. 支持硬開�(guān)和軟開關(guān)兩種模式,適�(yīng)多種�(yīng)用場(chǎng)景需��
該器件廣泛應(yīng)用于各種電力電子�(shè)備中,具體包括但不限于:
1. 開關(guān)電源(SMPS�,如AC-DC適配器和USB-PD快充��
2. �(shù)�(jù)中心和服�(wù)器電源模��
3. 通信基站中的DC-DC�(zhuǎn)換器�
4. 工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域的伺服�(qū)�(dòng)和逆變��
5. 汽車電子中的車載充電器(OBC)及DC-DC變換��
6. 太陽(yáng)能微型逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(chǎn)品�
CRTT060N10L, INN650D02