GA1210Y154JBAAR31G 是一款高性能� MOSFET 場效�(yīng)晶體管,適用于高頻開�(guān)�(yīng)用和功率�(zhuǎn)換場�。該型號具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度以及良好的熱�(wěn)定�,廣泛應(yīng)用于電源管理模塊、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器等領(lǐng)��
該器件采用先進的半導(dǎo)體制造工�,能夠有效降低功耗并提高整體效率。其封裝形式通常為表面貼裝類�,便于自動化生產(chǎn)和組裝�
最大漏源電壓:100V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�15A
�(dǎo)通電阻(典型值)�4mΩ
柵極電荷�65nC
反向傳輸電容�980pF
工作�(jié)溫范圍:-55� to 175�
GA1210Y154JBAAR31G 的主要特點包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,可顯著減少傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速的開關(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場景,有助于減小磁性元件體��
3. 高度�(wěn)定的電氣參數(shù),即使在極端溫度條件下也能保持可靠運��
4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)�,支持現(xiàn)代電子設(shè)備的可持�(xù)�(fā)展需��
5. 封裝�(shè)計緊湊,易于集成到各� PCB 板中,同時具備良好的散熱性能�
這款 MOSFET 主要用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流電��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心功率級開關(guān)�
3. 電機�(qū)動電路中� H 橋或半橋拓撲�
4. 電池管理系統(tǒng)中的負載開關(guān)和保護電��
5. 其他需要高效功率控制的場合,如 LED �(qū)動器和光伏逆變器等�
IRFZ44N
FDP5570
AO4404