GA1210Y123KBEAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)動和DC-DC�(zhuǎn)換器等電力電子領(lǐng)域。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠��
該型號屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET系列,其�(yōu)化設(shè)計使其非常適合于高頻�(yīng)用環(huán)境,同時也能承受較高的電流負(fù)�。此外,其封裝形式為表面貼裝類型,有助于簡化電路板布局并提升生�(chǎn)自動化程��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�15A
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ
柵極電荷�35nC
開關(guān)頻率�500kHz
�(jié)溫范圍:-55℃至175�
封裝形式:TO-220FP
1. 極低的導(dǎo)通電阻確保了高效的功率傳�,并降低了功��
2. 高速開�(guān)能力使得該芯片能夠在高頻條件下保持卓越性能�
3. �(nèi)置ESD保護(hù)功能提高了器件在惡劣�(huán)境中的抗干擾能力�
4. 良好的熱�(wěn)定性使芯片能夠在較寬的溫度范圍�(nèi)可靠�(yùn)��
5. 表面貼裝技�(shù)(SMD)封裝簡化了PCB�(shè)計和裝配流程�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),滿足環(huán)保要��
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電動工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�
4. 工業(yè)控制和自動化系統(tǒng)
5. 汽車電子�(shè)�
6. 充電器和適配�
IRFZ44N
FDP5580
STP16NF06L