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GA1210H823JXAAR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/30 19:57:35 查看 閱讀:4

GA1210H823JXAAR31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,基于先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝。該芯片通常用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載切換等應(yīng)用中。其設(shè)計(jì)重點(diǎn)在于提供低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)性能,從而提升效率并減少能量損耗。
  該型號(hào)具體為N溝道增強(qiáng)型MOSFET,具有高雪崩耐量能力,能夠在惡劣條件下保持穩(wěn)定工作。

參數(shù)

類型:N溝道最大漏源電壓Vds:120V
  最大柵源V
  持續(xù)漏極電流Id:10A
  導(dǎo)通電阻Rds(on):15mΩ(典型值,Vgs=10V)
  總功耗Ptot:16W
  封裝形式:TO-220
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃

特性

1. 低導(dǎo)通電阻,有助于降低傳導(dǎo)損耗,提高整體系統(tǒng)效率。
  2. 高速開(kāi)關(guān)性能,能夠適應(yīng)高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用的需求。
  3. 高雪崩擊穿能量能力,增強(qiáng)了在異常條件下的可靠性。
  4. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且適用于現(xiàn)代電子設(shè)備的要求。
  5. 良好的熱性能,確保在高功率應(yīng)用場(chǎng)景中的穩(wěn)定性。
  6. 封裝形式堅(jiān)固耐用,便于安裝與散熱設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)關(guān)或同步整流開(kāi)關(guān)。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率開(kāi)關(guān)元件。
  3. 各類電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率輸出級(jí)。
  4. 電池保護(hù)電路中的負(fù)載切換開(kāi)關(guān)。
  5. 工業(yè)控制中的功率管理模塊。
  6. 汽車電子中的負(fù)載驅(qū)動(dòng)及保護(hù)功能。

替代型號(hào)

IRFZ44N
  FQP18N12
  STP10NK120Z

ga1210h823jxaar31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容0.082 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-