GA1210H823JXAAR31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,基于先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝。該芯片通常用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載切換等應(yīng)用中。其設(shè)計(jì)重點(diǎn)在于提供低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)性能,從而提升效率并減少能量損耗。
該型號(hào)具體為N溝道增強(qiáng)型MOSFET,具有高雪崩耐量能力,能夠在惡劣條件下保持穩(wěn)定工作。
類型:N溝道最大漏源電壓Vds:120V
最大柵源V
持續(xù)漏極電流Id:10A
導(dǎo)通電阻Rds(on):15mΩ(典型值,Vgs=10V)
總功耗Ptot:16W
封裝形式:TO-220
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
1. 低導(dǎo)通電阻,有助于降低傳導(dǎo)損耗,提高整體系統(tǒng)效率。
2. 高速開(kāi)關(guān)性能,能夠適應(yīng)高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用的需求。
3. 高雪崩擊穿能量能力,增強(qiáng)了在異常條件下的可靠性。
4. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且適用于現(xiàn)代電子設(shè)備的要求。
5. 良好的熱性能,確保在高功率應(yīng)用場(chǎng)景中的穩(wěn)定性。
6. 封裝形式堅(jiān)固耐用,便于安裝與散熱設(shè)計(jì)。
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)關(guān)或同步整流開(kāi)關(guān)。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率開(kāi)關(guān)元件。
3. 各類電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率輸出級(jí)。
4. 電池保護(hù)電路中的負(fù)載切換開(kāi)關(guān)。
5. 工業(yè)控制中的功率管理模塊。
6. 汽車電子中的負(fù)載驅(qū)動(dòng)及保護(hù)功能。
IRFZ44N
FQP18N12
STP10NK120Z