時間：2025/5/29 20:23:19
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NV1210B333K102CEGN 是一款高性能的 N 溝道 MOSFET 功率晶體管，廣泛應用于電源管理、電機驅(qū)動和負載切換等場景。該器件采用先進的溝道技術制造，具有低導通電阻、快速開關特性和高可靠性。
該型號屬于 Nexperia 公司的 MOSFET 系列產(chǎn)品，設計用于處理高電流和電壓的應用環(huán)境。其封裝形式為 LFPAK88，適合表面貼裝工藝，能夠顯著提高功率密度并減少系統(tǒng)的整體尺寸。
最大漏源電壓：40V
最大柵源電壓：±20V
連續(xù)漏極電流：169A
導通電阻（Rds(on)）：1.5mΩ
柵極電荷：75nC
開關時間：ton=9ns，toff=18ns
工作結溫范圍：-55℃至+175℃
NV1210B333K102CEGN 的主要特性包括：
1. 極低的導通電阻 (Rds(on))，可有效降低傳導損耗并提升效率。
2. 快速的開關速度，適用于高頻開關應用。
3. 高雪崩能量能力，確保在異常條件下具備更好的魯棒性。
4. 符合 AEC-Q101 標準，適用于汽車級應用。
5. 小型化封裝設計，支持高功率密度解決方案。
6. 無鉛且符合 RoHS 標準，滿足環(huán)保要求。
這款 MOSFET 廣泛應用于以下領域：
1. 汽車電子中的 DC-DC 轉換器和電機控制。
2. 工業(yè)設備中的電源管理和負載切換。
3. 通信系統(tǒng)中的高效功率轉換。
4. 消費類電子產(chǎn)品中的適配器和充電器設計。
5. 任何需要高電流處理能力和快速開關性能的場景。
NVHLB12N40L,
NVH3N40L,
IRLB8748PbF,
STP160N4LL,
FDP17N40,
AON7711
