GA1210H224KBXAT31G是一款高性能的存儲芯�,屬于GA系列,主要應(yīng)用于大容量數(shù)�(jù)存儲需求的場景。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具備高密度、低功耗和�(wěn)定可靠的特點(diǎn),廣泛用于企�(yè)級服�(wù)器、數(shù)�(jù)中心以及高端消費(fèi)類電子產(chǎn)品中�
這款芯片的設(shè)�(jì)注重效率與性能的平衡,在數(shù)�(jù)讀寫速度和存儲壽命方面表�(xiàn)出色,同�(shí)支持多種糾錯�(jī)制以確保�(shù)�(jù)完整性�
類型:NAND Flash
容量�1TB
接口:PCIe Gen4x4
封裝:BGA
工作電壓�1.8V
�(shù)�(jù)傳輸速率�5000 MB/s(讀?�?br> 順序?qū)懭胨俣龋?000 MB/s
隨機(jī)讀取IOPS�750K
隨機(jī)寫入IOPS�650K
擦寫次數(shù)�3000�
工作溫度�0°C�+70°C
存儲溫度�-40°C�+85°C
GA1210H224KBXAT31G采用了三層存儲單元(TLC)技�(shù),大幅提升了單位面積�(nèi)的存儲密度,從而實(shí)�(xiàn)大容量存儲的同時(shí)保持較小的體��
其內(nèi)置的LDPC(低密度奇偶校驗(yàn)碼)糾錯技�(shù)能夠有效延長閃存的使用壽命,并提供更高的�(shù)�(jù)可靠��
此外,該芯片支持主機(jī)�(nèi)存緩沖區(qū)(HMB)功�,通過利用主機(jī)系統(tǒng)的DRAM來優(yōu)化SSD的性能表現(xiàn),特別適合輕量級�(shè)備或無外置DRAM�(shè)�(jì)的應(yīng)用環(huán)��
在能耗管理方�,該芯片具備動態(tài)電源管理功能,可以根�(jù)�(shí)際負(fù)載調(diào)整功�,�(jìn)一步降低運(yùn)行成��
GA1210H224KBXAT31G適用于需要高性能存儲解決方案的各種場景,包括但不限于以下�(lǐng)域:
1. �(shù)�(jù)中心和云�(jì)算平臺中的固�(tài)硬盤(SSD�
2. 企業(yè)級服�(wù)器的�(shù)�(jù)存儲系統(tǒng)
3. 高端筆記本電腦和臺式�(jī)的內(nèi)部存�
4. 工業(yè)自動化控制設(shè)備中的嵌入式存儲模塊
5. 視頻�(jiān)控系�(tǒng)的大容量存儲需�
6. �(yī)療影像設(shè)備中的快速數(shù)�(jù)記錄與處�
由于其卓越的性能和可靠性,該芯片也逐漸被應(yīng)用于人工智能推理加速器和邊緣計(jì)算設(shè)備等新興�(lǐng)��
GA1210H224KBXBT31G
GA1210H224KBXCT31G
GA1210H224KBXDT31G