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EPCQ16ASI8N 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 14:20:09 查看 閱讀�38

EPCQ16ASI8N是Efficient Power Conversion (EPC) 公司生產(chǎn)的基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的集成芯�。該器件采用先�(jìn)的增�(qiáng)型氮化鎵場效�(yīng)晶體管(eGaN FET�,具有極低的�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,適用于高頻、高效能電源�(zhuǎn)換和�(fù)載點(diǎn)�(yīng)��
  該型號專為需要高效率和小尺寸解決方案的應(yīng)用而設(shè)�(jì),能夠顯著減少系�(tǒng)中的功率損耗并提升整體效能�

參數(shù)

類型:增�(qiáng)型氮化鎵場效�(yīng)晶體�
  封裝:CLP4
  �(dǎo)通電阻:25 mΩ(典型�,在Vgs=6V�(shí)�
  漏源電壓�100 V
  連續(xù)漏極電流�16 A
  柵極電荷�9 nC(典型值)
  輸入電容�1300 pF(典型值)
  最大工作結(jié)溫:175 °C
  開關(guān)頻率:支持高�(dá)�(shù)MHz

特�

EPCQ16ASI8N的主要特性包括:
  1. 高效的氮化鎵技�(shù),大幅降低導(dǎo)通和開關(guān)損��
  2. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠在高頻條件下保持高效率�
  3. 快速的開關(guān)速度和較低的柵極電荷,適合高頻應(yīng)��
  4. 小巧的封裝尺�,節(jié)省電路板空間�
  5. 支持高達(dá)175°C的工作結(jié)�,適�(yīng)惡劣�(huán)境下的使��
  6. 集成了保�(hù)功能,如過流和過溫保�(hù),提高了系統(tǒng)的可靠性和�(wěn)定��
  7. 提供了出色的熱性能,有助于在高功率密度�(yīng)用中保持低溫�(yùn)��

�(yīng)�

該器件廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. �(fù)載點(diǎn)�(zhuǎn)換器(POL�
  4. 無線充電模塊
  5. LED�(qū)動器
  6. 激光雷�(dá)(LiDAR)和電機(jī)�(qū)�
  7. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器電�
  8. 消費(fèi)電子�(shè)備中的快充適配器
  由于其高頻性能和高效率,EPCQ16ASI8N非常適合于需要小型化和高性能的現(xiàn)代電子產(chǎn)品設(shè)�(jì)�

替代型號

EPC2016C
  EPC2020C

epcq16asi8n推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

epcq16asi8n�(chǎn)�

epcq16asi8n參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�20,695�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �88.16000管件
  • 系列EPCQ-A
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • Digi-Key ProgrammableVerified
  • 可編程類�系統(tǒng)�(nèi)可編�
  • 存儲容量16Mb
  • 電壓 - 供電2.7V ~ 3.6V
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商器件封�8-SOIC