GA1210H123MBAAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和開(kāi)關(guān)電源等領(lǐng)域。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和出色的熱性能等特點(diǎn),能夠有效提升系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。
該型號(hào)屬于增強(qiáng)型N溝道MOSFET,適用于高壓和高頻應(yīng)用環(huán)境。其封裝形式為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的表面貼裝類(lèi)型,便于自動(dòng)化生產(chǎn)和安裝。
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流:12A
導(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷:45nC
開(kāi)關(guān)時(shí)間:ton=15ns,toff=30ns
結(jié)溫范圍:-55℃至175℃
GA1210H123MBAAR31G具有以下關(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在高電流應(yīng)用中可顯著降低功耗。
2. 快速開(kāi)關(guān)性能,適合高頻工作場(chǎng)景,有助于減少開(kāi)關(guān)損耗。
3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常條件下的可靠性。
4. 緊湊型封裝設(shè)計(jì),節(jié)省PCB空間,同時(shí)提供良好的散熱性能。
5. 具備優(yōu)異的靜電防護(hù)(ESD)能力,提高了產(chǎn)品在現(xiàn)場(chǎng)使用中的魯棒性。
該芯片主要應(yīng)用于以下幾個(gè)領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS),包括AC/DC適配器和充電器。
2. DC/DC轉(zhuǎn)換器,用于工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中的電壓調(diào)節(jié)。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,如無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)控制。
4. 電池保護(hù)和管理系統(tǒng)(BMS)。
5. 各種負(fù)載切換和保護(hù)功能,例如電子保險(xiǎn)絲和過(guò)流保護(hù)電路。
GA1210H123MBAAR21G, IRFZ44N, FDP18N06L