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GA1210H123MBAAR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/29 0:19:23 查看 閱讀:7

GA1210H123MBAAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和開(kāi)關(guān)電源等領(lǐng)域。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和出色的熱性能等特點(diǎn),能夠有效提升系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。
  該型號(hào)屬于增強(qiáng)型N溝道MOSFET,適用于高壓和高頻應(yīng)用環(huán)境。其封裝形式為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的表面貼裝類(lèi)型,便于自動(dòng)化生產(chǎn)和安裝。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  持續(xù)漏極電流:12A
  導(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  柵極電荷:45nC
  開(kāi)關(guān)時(shí)間:ton=15ns,toff=30ns
  結(jié)溫范圍:-55℃至175℃

特性

GA1210H123MBAAR31G具有以下關(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在高電流應(yīng)用中可顯著降低功耗。
  2. 快速開(kāi)關(guān)性能,適合高頻工作場(chǎng)景,有助于減少開(kāi)關(guān)損耗。
  3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常條件下的可靠性。
  4. 緊湊型封裝設(shè)計(jì),節(jié)省PCB空間,同時(shí)提供良好的散熱性能。
  5. 具備優(yōu)異的靜電防護(hù)(ESD)能力,提高了產(chǎn)品在現(xiàn)場(chǎng)使用中的魯棒性。

應(yīng)用

該芯片主要應(yīng)用于以下幾個(gè)領(lǐng)域:
  1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS),包括AC/DC適配器和充電器。
  2. DC/DC轉(zhuǎn)換器,用于工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中的電壓調(diào)節(jié)。
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,如無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)控制。
  4. 電池保護(hù)和管理系統(tǒng)(BMS)。
  5. 各種負(fù)載切換和保護(hù)功能,例如電子保險(xiǎn)絲和過(guò)流保護(hù)電路。

替代型號(hào)

GA1210H123MBAAR21G, IRFZ44N, FDP18N06L

ga1210h123mbaar31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容0.012 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車(chē)級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引線(xiàn)間距-
  • 引線(xiàn)樣式-