BTS500851TMA是一款基于先進的SMART MOS技術的N溝道功率MOSFET,采用PG-TSSOP-14封裝形式。該器件集成了一個續(xù)流二極管(肖特基二極管),特別適用于汽車電子和工�(yè)應用中的大電流開關場�。它具有低導通電阻、高效率以及出色的熱性能,能夠承受嚴苛的工作�(huán)境�
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�26A
導通電阻:2.3mΩ
柵極閾值電壓:2.7V
總功耗:13W
工作溫度范圍�-40℃至150�
封裝形式:PG-TSSOP-14
BTS500851TMA具備低導通電阻特�,可以顯著降低傳導損耗并提高系統(tǒng)的整體效率。其集成的肖特基二極管有助于簡化電路設計,并提供高效的續(xù)流路�。此�,該器件還具有較高的雪崩能力和抗靜電能力,能夠在負載突降或短路情況下提供額外的保護�
這款芯片采用了優(yōu)化的散熱設計,確保在高溫�(huán)境下也能保持�(wěn)定運行。同�,其緊湊的封裝形式非常適合空間受限的應用場景�
BTS500851TMA廣泛應用于汽車和工業(yè)領域,例如直流電機控制、LED驅動器、DC/DC轉換�、負載開關以及各種需要高效開關操作的場合。由于其卓越的熱性能和電氣特�,該器件特別適合要求高可靠性和高效率的應用�(huán)��
BTS500801TMA, BTS500951TMA