GA1210A821KBCAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和負載開關(guān)等場景。該器件采用先進的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,可顯著提升系統(tǒng)效率并降低能耗。
此型號屬于溝道增強型功率場效應(yīng)晶體管(Power MOSFET),能夠承受較高的電壓和電流,同時具備良好的穩(wěn)定性和可靠性。
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(VDS):120V
最大柵源電壓(VGS):±20V
最大連續(xù)漏極電流(ID):10A
導(dǎo)通電阻(RDS(on)):8.2mΩ
總功耗(PD):150W
工作溫度范圍(TJ):-55℃ to 175℃
封裝形式:TO-247
GA1210A821KBCAR31G 提供了出色的電氣性能,適用于高功率密度應(yīng)用。
1. 極低的導(dǎo)通電阻RDS(on),有效減少傳導(dǎo)損耗,提高整體效率。
2. 高速開關(guān)能力,有助于降低開關(guān)損耗,適合高頻應(yīng)用。
3. 內(nèi)置ESD保護功能,增強了器件在惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定性。
4. 支持寬范圍的工作溫度,確保在極端條件下依然保持可靠運行。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足全球市場準(zhǔn)入要求。
6. 可靠性測試嚴格,使用壽命長,故障率低。
該功率MOSFET廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流管。
2. 直流無刷電機驅(qū)動電路中的功率級控制。
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切換與保護。
4. 太陽能逆變器及儲能系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模塊。
5. 電動汽車電池管理系統(tǒng)(BMS)中用于電流調(diào)節(jié)和過載保護。
6. 各類大功率電子負載和配電系統(tǒng)。
IRFP250N
STP10NK120Z
FQP17N120C