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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI2301BDS-T1-GE3

SI2301BDS-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/27 9:57:46 查看 閱讀�37

SI2301BDS-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用小外形晶體管封裝(SOT-23�,適用于各種低功耗應(yīng)用場(chǎng)合。它具有低導(dǎo)通電�、快速開(kāi)�(guān)速度和出色的電流處理能力,使其非常適合于便攜式設(shè)備、電源管理電路和信號(hào)切換等應(yīng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±8V
  連續(xù)漏極電流�1.4A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�0.57Ω
  總柵極電荷:3nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:�(kāi)啟延遲時(shí)� 6ns,關(guān)斷延遲時(shí)� 4ns
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

SI2301BDS-T1-GE3 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 低導(dǎo)通電阻:在較低的 Vgs 下仍然能夠保持較低的 Rds(on),從而減少導(dǎo)通損耗�
  2. 快速開(kāi)�(guān)性能:由于其較低的總柵極電荷和快速的�(kāi)�(guān)�(shí)�,可以有效降低開(kāi)�(guān)損��
  3. 小尺寸封裝:采用 SOT-23 封裝,節(jié)� PCB 空間,適合緊湊型�(shè)�(jì)�
  4. 高可靠性:符合工業(yè)�(biāo)�(zhǔn)的高可靠性要�,能夠在惡劣�(huán)境下正常工作�
  5. 寬工作溫度范圍:支持� -55°C � +150°C 的溫度范�,適�(yīng)多種�(yīng)用環(huán)��
  6. 反向傳輸電容低:有助于減少開(kāi)�(guān)節(jié)�(diǎn)上的振蕩并提高效��

�(yīng)�

SI2301BDS-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的同步整��
  2. 電池供電�(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電��
  4. �(jì)算機(jī)外設(shè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品的電源管理�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)切換�
  6. 便攜式電子產(chǎn)品中� DC/DC �(zhuǎn)換器�

替代型號(hào)

SI2302DS, SI2303DS, BSS138

si2301bds-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si2301bds-t1-ge3資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
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si2301bds-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.2A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫歐 @ 2.8A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)950mV @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs10nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds375pF @ 6V
  • 功率 - 最�700mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)