SI2301BDS-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用小外形晶體管封裝(SOT-23�,適用于各種低功耗應(yīng)用場(chǎng)合。它具有低導(dǎo)通電�、快速開(kāi)�(guān)速度和出色的電流處理能力,使其非常適合于便攜式設(shè)備、電源管理電路和信號(hào)切換等應(yīng)��
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±8V
連續(xù)漏極電流�1.4A
�(dǎo)通電阻(典型值)�0.57Ω
總柵極電荷:3nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:�(kāi)啟延遲時(shí)� 6ns,關(guān)斷延遲時(shí)� 4ns
工作溫度范圍�-55� � +150�
SI2301BDS-T1-GE3 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 低導(dǎo)通電阻:在較低的 Vgs 下仍然能夠保持較低的 Rds(on),從而減少導(dǎo)通損耗�
2. 快速開(kāi)�(guān)性能:由于其較低的總柵極電荷和快速的�(kāi)�(guān)�(shí)�,可以有效降低開(kāi)�(guān)損��
3. 小尺寸封裝:采用 SOT-23 封裝,節(jié)� PCB 空間,適合緊湊型�(shè)�(jì)�
4. 高可靠性:符合工業(yè)�(biāo)�(zhǔn)的高可靠性要�,能夠在惡劣�(huán)境下正常工作�
5. 寬工作溫度范圍:支持� -55°C � +150°C 的溫度范�,適�(yīng)多種�(yīng)用環(huán)��
6. 反向傳輸電容低:有助于減少開(kāi)�(guān)節(jié)�(diǎn)上的振蕩并提高效��
SI2301BDS-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的同步整��
2. 電池供電�(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電��
4. �(jì)算機(jī)外設(shè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品的電源管理�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)切換�
6. 便攜式電子產(chǎn)品中� DC/DC �(zhuǎn)換器�
SI2302DS, SI2303DS, BSS138