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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1210A681GBLAT31G

GA1210A681GBLAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/26 20:46:13 查看 閱讀�14

GA1210A681GBLAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高耐壓和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠��
  該型�(hào)屬于溝道增強(qiáng)型MOSFET系列,適用于高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)用場(chǎng)�。其�(shè)�(jì)注重減少�(kāi)�(guān)損耗并提供卓越的熱性能,適合要求嚴(yán)苛的工業(yè)和汽車電子環(huán)��

參數(shù)

類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�1200V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�25A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�68mΩ
  總功�(Ptot)�400W
  �(jié)溫范�(Tj)�-55� to +175�
  封裝形式:D2PAK

特�

GA1210A681GBLAT31G 具備以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有效降低傳�(dǎo)損�,提高整體效��
  2. 高擊穿電壓(1200V�,確保在高壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  3. 快速開(kāi)�(guān)能力,支持高頻工作場(chǎng)�,減少開(kāi)�(guān)損��
  4. 出色的熱性能,可承受較高的結(jié)溫范�,增�(qiáng)系統(tǒng)可靠性�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足全球市場(chǎng)的法�(guī)要求�
  6. 提供�(wěn)健的電氣保護(hù)功能,包括過(guò)流保�(hù)和短路保�(hù)�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的功率�(jí)�(zhuǎn)��
  2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  3. 新能源領(lǐng)�,如太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)汽車充電�(shè)��
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的直�-直流�(zhuǎn)換器�
  5. 各種需要高效能功率切換的場(chǎng)�,例如不間斷電源(UPS)系統(tǒng)和電池管理系�(tǒng)(BMS)�

替代型號(hào)

IRFP460, STP12NM60, FQA68P12E

ga1210a681gblat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容680 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-