GA1210A561KXAAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能。
其封裝形式為 TO-252 (DPAK),能夠有效提升散熱效率并支持高電流負(fù)載。該芯片適用于工業(yè)控制、消費(fèi)電子以及汽車電子等領(lǐng)域。
型號(hào):GA1210A561KXAAT31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):47A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.0mΩ
柵極電荷(Qg):85nC
總功耗(Ptot):20W
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
封裝:TO-252 (DPAK)
GA1210A561KXAAT31G 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在 4.0mΩ 的水平下可顯著降低傳導(dǎo)損耗,從而提高系統(tǒng)效率。
2. 高電流承載能力,連續(xù)漏極電流高達(dá) 47A,適合大功率應(yīng)用。
3. 快速開(kāi)關(guān)性能,柵極電荷僅為 85nC,有助于減少開(kāi)關(guān)損耗。
4. 寬泛的工作溫度范圍(-55℃ 至 +175℃),適應(yīng)各種嚴(yán)苛環(huán)境。
5. 小巧而高效的 DPAK 封裝設(shè)計(jì),提升了 PCB 布局靈活性和散熱性能。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。
7. 穩(wěn)定性和可靠性經(jīng)過(guò)嚴(yán)格測(cè)試,確保長(zhǎng)期使用無(wú)故障。
GA1210A561KXAAT31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源(Switching Power Supplies)中作為主功率開(kāi)關(guān)管。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流或降壓/升壓電路。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制電路,如步進(jìn)電機(jī)、伺服電機(jī)等。
4. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換和保護(hù)功能。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模塊。
6. 消費(fèi)電子產(chǎn)品中的高效能電源管理單元。
其卓越的性能和可靠性使其成為眾多高功率密度應(yīng)用場(chǎng)景的理想選擇。
GA1210A561KXAAT31G,
IRFZ44N,
FDP5570,
AON6810