GA1210A271GBCAR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶體管,主要用于開(kāi)關(guān)和放大電路中。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度以及良好的熱性能。
其封裝形式為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 TO-252 封裝,適合表面貼裝技術(shù)(SMT),廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、消費(fèi)電子以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場(chǎng)景。
型號(hào):GA1210A271GBCAR31G
類(lèi)型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):40A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.8mΩ
總功耗(Ptot):25W
工作溫度范圍:-55℃ to +175℃
封裝形式:TO-252
GA1210A271GBCAR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),有助于降低功耗并提升效率。
2. 高電流承載能力,使其適用于大功率應(yīng)用。
3. 快速開(kāi)關(guān)速度,減少了開(kāi)關(guān)損耗,非常適合高頻應(yīng)用。
4. 提供優(yōu)異的熱性能,有助于提高系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。
6. 表面貼裝封裝設(shè)計(jì),簡(jiǎn)化了 PCB 布局和生產(chǎn)流程。
這些特性使得 GA1210A271GBCAR31G 在各種電力電子應(yīng)用中表現(xiàn)出色,尤其在需要高效率和小體積解決方案的場(chǎng)合。
該器件的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的主開(kāi)關(guān)或續(xù)流二極管替代方案。
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護(hù)開(kāi)關(guān)。
4. 消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品,如筆記本電腦適配器、智能手機(jī)充電器等。
5. 工業(yè)控制設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載切換。
6. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的電源管理和負(fù)載控制。
由于其卓越的性能和可靠性,GA1210A271GBCAR31G 成為眾多工程師設(shè)計(jì)高效電力電子系統(tǒng)的首選元件。
IRLZ44N, AO3400A, FDN340P