GA1210A221JXAAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為需要高效率和低損耗的應用場景設計。該器件采用先進的制造工�,具有較低的導通電阻和較高的開關速度,適用于電源管理、電機驅�、工�(yè)自動化等領域的電路設計�
這款芯片通過�(yōu)化的封裝形式和內部結構設�,具備出色的熱性能和電氣性能,能夠滿足復雜電路環(huán)境下的穩(wěn)定運行需��
型號:GA1210A221JXAAR31G
類型:N-Channel MOSFET
額定電壓�120V
額定電流�30A
導通電阻(典型值)�1.8mΩ
柵極電荷�35nC
連續(xù)漏極電流�30A
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247
GA1210A221JXAAR31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),可有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高速開關能�,支持高頻應用場��
3. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,能夠在高溫�(huán)境下長時間穩(wěn)定工作�
4. 強大的過流能力和短路保護功能,增強了器件的可靠性�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且適合現代電子產品的生產要��
6. 封裝形式堅固耐用,便于散熱和集成到復雜電路中�
該芯片廣泛應用于以下領域�
1. 開關電源(SMPS)和直流-直流轉換��
2. 電機驅動和控制電��
3. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)�
4. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模塊�
5. 電動車和混合動力汽車的動力管理系�(tǒng)�
6. 通信電源和不間斷電源(UPS��
GA1210A221JXAAR32G, IRFZ44N, FDP5570