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GA1210A181KXBAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/28 17:52:03 查看 閱讀�16

GA1210A181KXBAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率控制的�(chǎng)景。該芯片采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能�
  該型�(hào)屬于溝道� MOSFET 系列,優(yōu)化了在高頻工作條件下的效率和可靠�。其封裝形式通常為表面貼裝類�,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和散熱管理�

參數(shù)

最大漏源電壓:120V
  連續(xù)漏極電流�10A
  �(dǎo)通電阻:18mΩ
  柵極電荷�35nC
  開關(guān)�(shí)間:典型� t_on=15ns, t_off=30ns
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�

特�

GA1210A181KXBAT31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),能夠顯著降低傳�(dǎo)損�,提高整體效��
  2. 高速開�(guān)性能,適用于高頻�(yīng)用場(chǎng)�,減少開�(guān)損��
  3. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,確保在極端溫度條件下仍能保持可靠的性能�
  4. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)� PCB 空間,同�(shí)支持高效的熱管理�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足全球市場(chǎng)的準(zhǔn)入要求�
  6. �(nèi)置靜電防�(hù)�(jī)�,增�(qiáng)了器件的魯棒�,減少了外部保護(hù)元件的需��

�(yīng)�

這款功率 MOSFET 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流管�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中作為高頻開�(guān)元件�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)開關(guān)�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
  5. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和驅(qū)�(dòng)控制�
  6. LED �(qū)�(dòng)器和電池管理系統(tǒng)中的功率�(diào)節(jié)組件�

替代型號(hào)

GA1210A181KXBAT31G, IRFZ44N, FQP17N12, STP10NK120Z

ga1210a181kxbat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容180 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-