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FGH50N6S2D 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/12/19 17:16:05 查看 閱讀�209

�(chǎn)品種�: IGBT 晶體�

目錄

概述

制造商: Fairchild Semiconductor
�(chǎn)品種�: IGBT 晶體�
封裝 / 箱體: TO-247
集電極—發(fā)射極最大電� VCEO: 600 V
集電極—射極擊穿電�: 600 V
集電極—射極飽和電�: 1.9 V
柵極/�(fā)射極最大電�: 20 V
集電極最大連續(xù)電流 Ic: 75 A
柵極—射極漏泄電�: +/- 250 nA
功率耗散: 463 W
封裝: Tube
配置: Single
Part # Aliases: FGH50N6S2DNL

fgh50n6s2d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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fgh50n6s2d參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝150
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列-
  • IGBT 類型-
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)600V
  • Vge, Ic�(shí)的最大Vce(開�2.7V @ 15V�30A
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)75A
  • 功率 - 最�463W
  • 輸入類型�(biāo)�(zhǔn)�
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-247-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-247
  • 包裝管件
  • 其它名稱FGH50N6S2D_NLFGH50N6S2D_NL-ND