GA1210A151FBBAT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應用于開關電源、電機驅�、DC-DC轉換器等領域。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電阻和高開關速度的特�,能夠在高頻工作條件下提供卓越的效率和可靠性�
該芯片屬于N溝道增強型MOSFET,其設計旨在滿足對效率和散熱性能要求較高的應用需�。通過�(yōu)化的結構設計和材料選�,它在降低功耗的同時提升了系�(tǒng)的整體性能�
最大漏源電壓:150V
連續(xù)漏極電流�18A
導通電阻:4.5mΩ
柵極電荷�65nC
總電容:1250pF
工作溫度范圍�-55� � 175�
封裝形式:TO-247
GA1210A151FBBAT31G的主要特性包括:
1. 極低的導通電�,可有效減少導通損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高速開關能�,適合高頻應用場��
3. 較大的漏源電壓和漏極電流�(guī)格,確保了其在多種應用場景中的穩(wěn)定��
4. �(yōu)秀的熱性能表現(xiàn),支持長時間�(wěn)定運行�
5. 可靠的電氣性能,在極端溫度條件下仍能保持良好的工作狀�(tài)�
6. 具備強大的抗雪崩能力,增強了器件的魯棒性�
這款MOSFET芯片適用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)中作為主開關管使��
2. 電機驅動電路中的功率級控��
3. DC-DC轉換器中的同步整流或主開關元��
4. 太陽能逆變器和其他能源管理設備中的功率轉換模塊�
5. 各種工業(yè)自動化設備中的功率調節(jié)與保護功能實�(xiàn)�
6. 負載切換及電池管理系�(tǒng)中的關鍵組件�
GA1210A150FBBAT31G
IRFZ44N
FDP5570
STP18NF50