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PL150N03 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/22 18:33:30 查看 閱讀:9

PL150N03是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。它通常用于開(kāi)關(guān)和功率管理應(yīng)用,具有低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力的特點(diǎn)。該器件適合在高頻開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開(kāi)關(guān)等場(chǎng)景中使用。
  PL150N03采用TO-220封裝形式,這種封裝能夠有效散熱并支持較高的電流承載能力。由于其出色的電氣性能和可靠性,這款MOSFET被廣泛應(yīng)用于工業(yè)、消費(fèi)電子及汽車領(lǐng)域。

參數(shù)

最大漏源電壓(VDS):30V
  最大柵源電壓(VGS):±20V
  最大連續(xù)漏極電流(ID):150A
  導(dǎo)通電阻(RDS(on)):2.5mΩ(典型值,VGS=10V時(shí))
  總功耗(Ptot):140W
  結(jié)溫范圍(TJ):-55℃至+175℃
  柵極電荷(Qg):65nC(典型值)
  反向恢復(fù)時(shí)間(trr):70ns(典型值)

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高效率。
  2. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常工作條件下的魯棒性。
  3. 快速開(kāi)關(guān)速度,適用于高頻應(yīng)用場(chǎng)景。
  4. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且適合現(xiàn)代設(shè)計(jì)需求。
  5. 良好的熱穩(wěn)定性,能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)可靠運(yùn)行。
  6. TO-220封裝易于安裝和散熱設(shè)計(jì),簡(jiǎn)化了系統(tǒng)集成。

應(yīng)用

1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)中的主開(kāi)關(guān)或同步整流元件。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的高端或低端開(kāi)關(guān)。
  3. 電動(dòng)工具、家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載控制。
  5. 汽車電子系統(tǒng)中的大電流開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
  6. 各類保護(hù)電路,如過(guò)流保護(hù)和短路保護(hù)。

替代型號(hào)

IRFZ44N, STP150N3LLH5, FDP150N03L

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