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GA1210A121KXAAR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/29 18:11:49 查看 閱讀：12

GA1210A121KXAAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片，專為高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性，適合用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用場(chǎng)景。
　　這款芯片在設(shè)計(jì)上注重效率與可靠性，能夠有效降低能量損耗并提升系統(tǒng)性能。其封裝形式和電氣參數(shù)經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可以滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高效能的需求。

參數(shù)

型號(hào)：GA1210A121KXAAR31G
　　類型：N溝道 MOSFET
　　工作電壓：120V
　　最大電流：40A
　　導(dǎo)通電阻：1.2mΩ
　　柵極電荷：65nC
　　漏源擊穿電壓：120V
　　連續(xù)漏極電流：40A
　　功耗：288W
　　封裝：TO-247-3
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃

特性

GA1210A121KXAAR31G 的主要特性包括：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），確保高效率和較低的發(fā)熱。
　　2. 快速開(kāi)關(guān)能力，適用于高頻操作環(huán)境。
　　3. 高雪崩能量能力，提高了器件的魯棒性和抗干擾性能。
　　4. 采用DPAK或TO-247-3封裝，提供出色的散熱性能。
　　5. 具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和電氣穩(wěn)定性，可長(zhǎng)期可靠運(yùn)行。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且兼容無(wú)鉛焊接工藝。
　　這些特性使得該芯片成為需要高效功率管理的應(yīng)用的理想選擇。

應(yīng)用

GA1210A121KXAAR31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)
　　4. 工業(yè)控制
　　5. 太陽(yáng)能逆變器
　　6. 電動(dòng)車充電系統(tǒng)
　　7. LED驅(qū)動(dòng)器
　　由于其卓越的性能，這款芯片特別適合要求高效率和高可靠性的應(yīng)用場(chǎng)景。

替代型號(hào)

GA1210A121KXAAR31G-A, IRFZ44N, FDP5500

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  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ga1210a121kxaar31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶（TR）
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容120 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G，NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝，MLCC
  • 封裝/外殼1210（3225 公制）
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm）
  • 高度 - 安裝（最大值）-
  • 厚度（最大值）0.076"（1.94mm）
  • 引線間距-
  • 引線樣式-