GA0402A5R6DXBAP31G 是一種基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的功率晶體管,適用于高頻和高效率的電力電子應(yīng)�。該器件采用先進的 GaN 工藝制�,具有出色的開關(guān)性能和低�(dǎo)通電阻特�,可顯著提升系統(tǒng)的整體效��
此型號通常用于電源管理、DC-DC �(zhuǎn)換器、無線充電以及各種工�(yè)�(yīng)用中。與傳統(tǒng)的硅� MOSFET 相比,GaN 器件能夠?qū)崿F(xiàn)更快的開�(guān)速度和更低的能量損�,從而優(yōu)化系�(tǒng)�(shè)計�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�2A
�(dǎo)通電阻:60mΩ
柵極電荷�25nC
反向恢復(fù)時間:小�20ns
工作溫度范圍�-40� � +125�
GA0402A5R6DXBAP31G 具有以下主要特點�
1. 高開�(guān)頻率:支持高達數(shù) MHz 的開�(guān)頻率,減少了磁性元件的尺寸和成��
2. 低導(dǎo)通電阻:在高電流條件下保持較低的功�,提高系�(tǒng)效率�
3. 快速反向恢�(fù):顯著降低開�(guān)損耗,特別是在高頻�(yīng)用場景中�
4. 熱穩(wěn)定性:即使在高溫環(huán)境下也能保持�(wěn)定的電氣性能�
5. 小型封裝:采用節(jié)省空間的�(shè)�,適合對體積敏感的應(yīng)用場��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 電源適配器和充電器:
實現(xiàn)高效的小型化�(shè)��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器�
提供快速動�(tài)響應(yīng)和高�(zhuǎn)換效率�
3. 無線充電模塊�
支持高功率無線充電解決方��
4. 工業(yè)電機�(qū)動:
提升�(qū)動系�(tǒng)的效率和可靠性�
5. 太陽能逆變器:
在光伏系�(tǒng)中實�(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)��
GA0402A5R6DXBAQ31G
GA0402A5R6DXBAR31G